IPS70R1K4P7SAKMA1 产品实物图片
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IPS70R1K4P7SAKMA1

商品编码: BM0107672906
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TO251-3
包装 : 
管装
重量 : 
1.96g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 22.7W 700V 4A 1个N沟道 TO-251(IPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.21
按整 :
管(1管有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.21
--
100+
¥1.71
--
750+
¥1.48
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

IPS70R1K4P7SAKMA1参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4Ω@10V,700mA
功率(Pd)22.7W阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@40uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)158pF@400V
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

IPS70R1K4P7SAKMA1手册

IPS70R1K4P7SAKMA1概述

产品概述:IPS70R1K4P7SAKMA1 - Infineon CoolMOS™ P7 N通道 MOSFET

1. 引言

IPS70R1K4P7SAKMA1 是由 Infineon Technologies 主要推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,其系列名为 CoolMOS™ P7。这款MOSFET特别设计用于各种高功率和高电压应用,具有极优的导电性和开关性能。因而,广泛应用于电源管理及变换器、工业设备、以及汽车等应用领域,满足现代电子设备对能效和可靠性的高要求。

2. 主要参数

  • 品牌:Infineon Technologies
  • 系列:CoolMOS™ P7
  • 封装:PG-TO251-3(TO-251AA)
  • 额定电压 (Vdss):700V
  • 连续漏极电流 (Id):4A(在温度条件 Tc 下)
  • 导通电阻 (Rds(on)):1.4Ω @ 700mA,10V
  • 最大功率耗散 (Pd):22.7W(Tc 下)
  • 工作温度范围:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 阈值栅电压 (Vgs(th)):最大 3.5V @ 40µA
  • 最大栅源电压 (Vgs):±16V
  • 栅极电荷 (Qg):4.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss):158pF @ 400V

3. 高性能特性

IPS70R1K4P7SAKMA1 采用了一种先进的 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,使其在高频和高电压应用中表现出色。这款产品的导通电阻为1.4Ω,这样的设计不仅减少了功耗,提升了转换效率,还有效降低了发热量,确保更长的使用寿命和更高的可靠性。

4. 应用场景

IPS70R1K4P7SAKMA1 可广泛应用于多个领域,包括:

  • 开关电源(SMPS):在高效的电能转换过程中,该MOSFET能够在开关操作时有效降低损耗,提升变换器的效率。
  • 电动车辆充电器:在电动车充电器中,其高隔离电压和快速开关能力是关键特性,能够支持快速充电。
  • 工业驱动控制:用于控制电动机和其他负载时,其高电流及热管理能力能够确保稳定性。
  • 电源适配器:在需要转换和分配电力的电子适配器设备中,IPS70R1K4P7SAKMA1 展现出优越的兼容性和性能。

5. 安装与使用

IPS70R1K4P7SAKMA1 的安装类型为通孔,适用于许多应用场景的PCB设计。其标准的 TO-251 封装结构使得用户在选择和焊接时十分便利,同时也便于散热设计,以保持器件在工作条件下的温度控制。

6. 结论

IPS70R1K4P7SAKMA1 是一款融合高性能、高可靠性及多功能性于一体的 N 通道 MOSFET,特别适用于需要高电压和大电流的各种应用。其出色的电气特性和灵活的应用能力,保证了其在高端电源管理解决方案中的重要地位。无论是工程师在设计复杂的电源系统,还是普通用户寻找可靠的电子元件,IPS70R1K4P7SAKMA1 都是一个卓越的选择。