集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@10mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 2.5V@20mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 4.7kΩ | 电阻比率 | 2.1 |
工作温度 | -40℃~+150℃ |
在现代电子技术的发展过程中,双极型晶体管(BJT)一直扮演着至关重要的角色,它们广泛应用于信号放大、开关电路和其他各种电子设备中。DTC143XMT2L是罗姆(ROHM)公司推出的一款高性能NPN型晶体管,适合各种基础电子电路和复杂应用。
DTC143XMT2L具备以下基础参数:
该晶体管的设计考虑到了电流与电压的合理性,确保在真实应用中的安全性和可靠性。
DTC143XMT2L的电流增益(hFE)在不同的集电极电流(Ic)和集射极电压(Vce)下表现优秀,在10mA和5V条件下,最小值可达30。这一参数使其在中等功耗的应用中表现出色,能够提供足够的信号放大能力。
与此同时,其Vce饱和压降在500µA和10mA的工作条件下最大值为300mV,表明该晶体管在数据切换或放大应用中能够实现低损耗操作。此外,该器件在集电极截止(最大值)条件下,电流仅为500nA,显示出其对低功耗需求的良好适应性。
DTC143XMT2L具有245MHz的跃迁频率,使其具备良好的频率响应能力,适合高频应用场景。这个特性让它能够在快速切换的数字电路和调制解调器等射频应用中发挥作用,从而保证信息的快速传递和有效处理。
该产品的最大功率为150mW,满足多种小型电子产品的能量需求。其采用的SOT-723封装(VMT3)是表面贴装型设计,适合现代紧凑型电路布局。该封装不仅减小了元器件之间的干扰,还可帮助提升线路板的集成度,降低尺寸与重量,深受设计师和工程师的欢迎。
DTC143XMT2L的多用途特性使其适用于以下应用场景:
DTC143XMT2L是罗姆公司针对现代电气设备设计的一款稳定可靠的NPN型晶体管,凭借其出色的性能、适应性和灵活性,能够在多种电子应用中实现更高的效率与可靠性。无论是在音频、射频还是开关电路设计中,DTC143XMT2L都有足够的竞争力,适合需要精准电流控制与快速响应的各种应用场景。此款晶体管的完美结合于各类高频和低功耗电路设计,无疑将成为电子工程师设计选择中的重要元器件。