集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 33@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@20mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 100mV@10mA,0.5mA |
输入电阻 | 1kΩ | 电阻比率 | 10 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTA113ZKAT146是一款由日本ROHM(罗姆)公司制造的高性能PNP型数字晶体管,采用表面贴装技术(SMT)封装,符合TO-236-3(SOT-23-3)标准。这款晶体管专为各种数字电路和开关应用而设计,具有出色的电气性能、可靠性和适应性。
该晶体管可承受的最大集电极电流(Ic)为100mA,适用于能够承载较大电流的低功耗电路。同时,它的集射极击穿电压(Vce)最大为50V,确保了在较高电压环境下的稳定运行。晶体管的功率耗散值为200mW,足以满足大多数中等功率电子电路的需求。
在频率响应方面,DTA113ZKAT146具有250MHz的跃迁频率,可实现高速开关操作,适合高频应用。此外,最小的电流增益(hFE)为33,适用于大多数小信号增强应用。
DTA113ZKAT146在指定条件下(如5V电压供给和5mA的基极电流Ib下)表现出33的最小直流电流增益(hFE),这提升了其在开关和放大电路中的表现。对于饱和压降,其最大值为300mV,可在500µA的基极电流和10mA的集电极电流下保持良好的性能,确保了开关状态下的能量损耗最小化。
在电路设计时,用户需注意在基极(R1)和发射极(R2)中使用适当的电阻值,分别为1 kΩ和10 kΩ,以确保晶体管能够稳健工作。在设计逻辑电路或开关电源时,合理选择这两个电阻的值至关重要,以达到所需的电流驱动需求和电压稳定。
该器件的集电极截止电流最大为500nA,展现出在关断状态下的优良特性,这减少了在关断状态下的能量消耗,提升了整体电路的能效。
DTA113ZKAT146可以广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其是在需要升压或开关操作的数字电路中,如开关电源、LED驱动、音频放大器、继电器驱动等应用。同时,其高频特性也使其适合用于RF(无线电频率)设备和射频功放中。
作为一款支持多种应用的PNP型预偏压数字晶体管,DTA113ZKAT146不仅具备高效能和可靠性,还有助于简化设计过程,优化电路性能。ROHM作为行业内知名厂商,确保了该产品的高品质和稳定性,使其成为工程师和设计师在构建中等功率电子产品时的优选器件。
总之,DTA113ZKAT146是一款适用于多种应用场景的高效、可靠的PNP型数字晶体管,凭借其优越的电气性能和灵活的应用能力,成为现代电子设备中不可或缺的元器件。