DMG1012UWQ-7
DMG1012UWQ-7参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 640mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@2.5V,500mA |
| 功率(Pd) | 290mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 736.6pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 67pF@16V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 5.37pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMG1012UWQ-7手册
DMG1012UWQ-7概述
产品概述：DMG1012UWQ-7
一、引言
DMG1012UWQ-7 是由著名电子元器件制造商 DIODES（美台）出品的一款 N 沟道场效应管（MOSFET），该产品采用 SOT-323 封装，是一种小型化、高效能的开关器件。因其优异的电气性能和封装特性，DMG1012UWQ-7 被广泛应用于移动设备、消费电子、功率管理、汽车电子及其他需要紧凑和高效电源解决方案的领域。
二、产品规格
- 类型： N 沟道 MOSFET
- 封装： SOT-323
- 最大漏极源极电压 (V_DS)： 20V
- 最大漏极电流 (I_D)： 1.5A
- 门极阈值电压 (V_GS(th))： 1.5V 至 3.0V
- 输入电容 (C_iss)： 60pF （V_GS = 0V）
- 导通电阻 (R_DS(on))： 45mΩ（ V_GS = 10V）
- 工作温度范围： -55°C至 +150°C
三、产品特点
低导通电阻：DMG1012UWQ-7 的导通电阻极低，这使得它在导通状态时的功率损耗非常小，可以提高电路的整体效率。这一特性使其适合用于高效电源转换、负载开关和电机驱动等应用。
高开关速度：该 MOSFET 具有出色的开关特性和快速的开启/关闭时间，使其非常适合需要快速开关响应的应用场合，如开关电源和高频转换电路。
小型封装： SOT-323 封装极大地节省了版面空间，这使得 DMG1012UWQ-7 特别适合于空间有限的便携设备和小型电子产品。
可靠性与热管理：与许多其他 MOSFET 相比，DMG1012UWQ-7 在高温环境下依然保持良好的性能，适应广泛的工作条件，确保在严苛环境中的稳定运行。
兼容性：广泛的兼容性与设计灵活性使该 MOSFET 能够与多种电路架构和系统搭配使用，特别是与基于低压和中压的电源管理方案。
四、应用领域
移动设备：在智能手机、平板电脑及其他便携电子产品中，DMG1012UWQ-7 常用作电源管理和负载开关，确保设备高效、可靠的工作。
消费电子：用于电视、音响和其他家电设备的开关电源中，以提升能量转换效率和降低功耗。
汽车电子：在汽车的动力系统、照明和安全系统中，该 MOSFET 可用于电源控制和信号开关，确保安全性和节能。
工业控制：在电机驱动、机器人控制和其他自动化设备中，DMG1012UWQ-7 的快速开关特性使其成为理想选择。
LED 驱动：该 MOSFET 还可用于LED驱动解决方案，以确保电流控制的稳定性和效率。
五、结论
DMG1012UWQ-7 是一款具备高性价比的 N 沟道 MOSFET，它的低导通电阻、高速开关能力和小型封装赋予了它在众多应用中的竞争力。 DIODES（美台）凭借其在电子元器件领域的专业经验，确保了 DMG1012UWQ-7 的卓越性能与可靠性，为客户提供了强大的解决方案，满足各种实际应用需求。无论是在消费电子、移动设备、汽车电子还是工业控制领域，DMG1012UWQ-7 都是一款值得信赖的选择。