类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 21A;40A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 2.7W;37W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.35V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 31nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.155nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品概述:IRFHM830TRPBF
IRFHM830TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)出品的高性能 N 通道 MOSFET,具有优越的电气特性和广泛的应用范围。其设计充分符合当今市场对高效能和高可靠性的需求,广泛应用于各类电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制系统。
电压与电流特性:
导通电阻:
栅极阈值电压:
栅极电荷:
输入电容:
功率耗散:
工作温度范围:
封装与安装:
IRFHM830TRPBF 适用于多种领域,具体应用包括但不限于:
总而言之,IRFHM830TRPBF 作为一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围和优秀的功率处理能力,在现代电子设备中展现出良好的应用前景。无论是在能源管理,还是在高效电机驱动与汽车电子应用中,IRFHM830TRPBF 都是设计师的理想选择。