类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@6A,10V |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.3nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 969pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
概述
DMP3037LSSQ-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 通道 MOSFET,适用于汽车电子及其他需要高可靠性和高性能的电子应用。作为符合 AEC-Q101 标准的产品,DMP3037LSSQ-13 在开发时考虑到了汽车行业的严格要求,确保其在恶劣工作环境下的稳定性和耐用性。
关键特性
电气性能:
栅极电压和输入特性:
封装与尺寸:
工作环境:
功率耗散:
市场应用
DMP3037LSSQ-13 主要适用于以下几个市场和领域:
总结
DMP3037LSSQ-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、良好的热管理能力和高温稳定性,成为汽车行业及其他高要求电子领域的理想选择。其低导通电阻、合适的阈值电压和广泛的工作温度范围,使其在多个应用场景中实现高效能、低能耗的解决方案。通过合理的设计和应用,DMP3037LSSQ-13 能够在确保性能的同时,降低整体系统的复杂性和成本。