反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | 最大钳位电压 | 5V |
击穿电压 | 5.5V | 工作温度 | -40℃~+85℃@(Ta) |
类型 | ESD |
PUSB3AB4Z 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的双向静电放电 (ESD) 抑制器,采用表面贴装 DFN2510A-10 封装。该器件专为保护电子设备免受静电放电和其他电气干扰所设计,特别适用于频繁涉及数据传输和信号处理的应用场景。作为一款有源齐纳二极管,PUSB3AB4Z 能够有效地抑制瞬态电压尖峰,从而保护后续电路的稳定运行。
PUSB3AB4Z ESD 抑制器广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
该器件能够在高频操作环境中有效地保护数据线路及信号路径,尤其是在信号传输时可快速反应,防止过电压和瞬态电流对电路造成的损害。
低电容特性: 比较高的工作频率时,低至 0.17pF 的电容值使得 PUSB3AB4Z 在高速数据传输中表现出色,对信号的影响微乎其微。
卓越的瞬态电压抑制能力: 最大可以承受 7A 的峰值脉冲电流,在瞬态事件发生时可以有效吸收电流,从而锁定电压保护范围。
广泛的工作温度范围: -40°C 至 85°C 的工作温度范围确保在各种环境下的稳定性,适合不同应用场合的需求。
紧凑的封装: DFN2510A-10 封装提供了节省空间的设计方法,方便在多层电路板和小型电子设备中使用。
总而言之,PUSB3AB4Z 是一款理想的双向 ESD 抑制器,可为多种电子应用提供出色的保护性能。凭借其低电容、高耐压和宽温度范围的特点,它在确保电子设备的稳定性和可靠性方面发挥着重要作用。无论是在设计新设备或替换现有保护措施时,PUSB3AB4Z 都是工程师们值得选择的光荣选择,为电子产品提供长久的保护和保障。