晶体管类型 | 2个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 800mV@1mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 700mV@100uA,5V | 输入电阻 | 10kΩ |
电阻比率 | 4.7 |
产品概述:PUMB9,115 数字晶体管
引言 在现代电子设计中,晶体管的使用起着至关重要的作用。特别是在需要高效率和小型化的应用场合,选择合适的晶体管就显得尤为重要。Nexperia(安世)推出的PUMB9,115数字晶体管,凭借其卓越的性能参数和紧凑的封装设计,成为电子工程师和设计师的理想选择。
基本参数 PUMB9,115是一款集成了两个PNP型预偏置晶体管的元器件,共享相同的基极。它的主要电气参数包括:
增益与饱和压降 在设计电路时,电流增益和饱和状态电压是评价晶体管的重要指标。PUMB9,115在不同的Ic和Vce条件下提供的DC电流增益(hFE)最小为100(@5mA, 5V),这一高增益指标使得它在开关功能和放大能力上表现优异。同时,在特定的Ib、Ic条件下,其Vce的饱和压降最大为100mV(@250µA, 5mA),这确保了器件在开关状态时低功耗,提升了其整体效率。
可靠性与功耗 PUMB9,115在开关截止状态下,其集电极电流最大仅为1µA。这一极低的截止电流参数意味着在非工作状态下,该元件将有效减少功耗,适合长时间运行于低功耗模式的设备。
电阻器设置 PUMB9,115的基极电阻(R1)为10 kΩ,发射极电阻(R2)为47 kΩ。这些设置使得其基极电流的控制更加精确,提升了电路的稳定性和灵活性。
封装与安装 该元件采用6-TSSOP封装,这种紧凑型表面贴装设计不仅节省了板上空间,而且还提高了生产效率。在许多空间受限的应用领域(如智能手机、可穿戴设备和家电)中,这种小型化的设计尤为重要。
应用场景 PUMB9,115由于其出色的电气特性和紧凑的设计,非常适用于多种电子产品和项目,包括:
总结 总的来说,PUMB9,115数字晶体管以其优异的电性能、低功耗和紧凑的封装设计,适应了当今电子设备对高效能和小型化的需求。无论是在消费者电子、工业应用还是汽车电子中,PUMB9,115都能提供可靠的性能支持,助力工程师实现各种创新设计。Nexperia(安世)作为该产品的生产商,致力于为全球客户提供优质的电子元器件解决方案,确保其产品在竞争激烈的市场中始终拥有优势。