类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 25V |
连续漏极电流(Id) | 55A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.65mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.95V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 705pF@12.5V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 67pF@12.5V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
制造商及品牌 PSMN9R0-25MLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)。Nexperia 是一家以其创新的半导体解决方案著称的公司,提供广泛的 MOSFET 产品,广泛应用于汽车、工业及消费电子等领域。
产品描述 PSMN9R0-25MLC,115 是一款适用于高效电力转换和管理的 N 沟道 MOSFET,具有出色的电气性能和可靠性。它采用 LFPAK33 封装,该封装设计优化了散热性能,适合需要紧凑和高效布局的电路设计。
技术规格
应用领域 PSMN9R0-25MLC,115 的设计使其在多个领域中都具备了广泛的应用,如:
优势 PSMN9R0-25MLC,115 的多项特性使其在电子元器件市场上脱颖而出。首先,其在高电流和高温环境下的稳定性能保证了更长的使用寿命和减少了维护成本。其次,低导通电阻和快速开关特性使其在电能转换效率方面具有显著优势,减少了功率损耗,提高了整个系统的能效。此外,其紧凑的 LFPAK33 封装方便设计工程师在布局设计中节省空间并提升散热能力。
总结 PSMN9R0-25MLC,115 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高性能、可靠性及广泛的应用潜力,适合多种电子设计和高效能的电力管理方案。无论是电源管理、电机控制还是汽车电子,PSMN9R0-25MLC,115 都是一款值得信赖的解决方案。