PSMN9R0-25MLC,115 产品实物图片
PSMN9R0-25MLC,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PSMN9R0-25MLC,115

商品编码: BM0118556044
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK33-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 45W 25V 55A 1个N沟道 SOT-1210
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.91
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.91
--
100+
¥2.24
--
750+
¥1.95
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

PSMN9R0-25MLC,115参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)55A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.65mΩ@10V,15A
功率(Pd)45W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.95V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.4nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)705pF@12.5V
反向传输电容(Crss@Vds)67pF@12.5V工作温度-55℃~+175℃

PSMN9R0-25MLC,115手册

PSMN9R0-25MLC,115概述

PSMN9R0-25MLC,115 产品概述

制造商及品牌 PSMN9R0-25MLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)。Nexperia 是一家以其创新的半导体解决方案著称的公司,提供广泛的 MOSFET 产品,广泛应用于汽车、工业及消费电子等领域。

产品描述 PSMN9R0-25MLC,115 是一款适用于高效电力转换和管理的 N 沟道 MOSFET,具有出色的电气性能和可靠性。它采用 LFPAK33 封装,该封装设计优化了散热性能,适合需要紧凑和高效布局的电路设计。

技术规格

  • FET 类型: N 通道 MOSFET
  • 电流(Id): 55A(在 25°C 时,可额外考虑散热措施)
  • 驱动电压: 最大 Rds(on) 在 10V 时性能最佳,最小 Rds(on) 为 4.5V
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下,导通电阻最大值为 8.65 毫欧(在 15A 条件下)
  • 栅极门限电压 (Vgs(th)): 最大值为 1.95V @ 1mA,这为 MOSFET 提供了低栅极驱动电压下的开关能力
  • 功率耗散: 最大功率耗散为 45W,在高温环境下仍可正常运行
  • 工作温度范围: -55°C 到 175°C,这意味着该器件适用于极端环境条件
  • 漏源电压 (Vdss): 额定 25V,适合用于低压应用
  • 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 11.7nC @ 10V,这对于快速开关应用尤其重要
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 705pF @ 12.5V,表明该器件在高频率下的性能

应用领域 PSMN9R0-25MLC,115 的设计使其在多个领域中都具备了广泛的应用,如:

  • 电源转换: 在开关电源 (SMPS) 和逆变器中作为开关元件使用。这种 MOSFET 能够处理高电流并提供低导通电阻,从而提高整体效率。
  • 电机驱动: 在直流电机和步进电机驱动中,通过快速开关和低损耗来优化性能。
  • 汽车电子: 在汽车电力系统中,如 DC-DC 转换器、照明控制和电池管理系统等场合发挥着重要作用。
  • 工业应用: 在各种自动化设备、变频器和伺服驱动中,由于其高耐温的特性,能够提供可靠性。

优势 PSMN9R0-25MLC,115 的多项特性使其在电子元器件市场上脱颖而出。首先,其在高电流和高温环境下的稳定性能保证了更长的使用寿命和减少了维护成本。其次,低导通电阻和快速开关特性使其在电能转换效率方面具有显著优势,减少了功率损耗,提高了整个系统的能效。此外,其紧凑的 LFPAK33 封装方便设计工程师在布局设计中节省空间并提升散热能力。

总结 PSMN9R0-25MLC,115 是一款出色的 N 通道 MOSFET,凭借其高性能、可靠性及广泛的应用潜力,适合多种电子设计和高效能的电力管理方案。无论是电源管理、电机控制还是汽车电子,PSMN9R0-25MLC,115 都是一款值得信赖的解决方案。