类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 90A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 238W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
基本信息
制造商:Nexperia USA Inc.
型号:PSMN6R9-100YSFX
封装类型:LFPAK56-5
状态:有源
产品描述
PSMN6R9-100YSFX是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),设计用于各种高功率应用中。这款MOSFET采用先进的技术制造,具有优异的性能,能够在苛刻的环境条件下工作,广泛应用于汽车、电源管理和工业控制等领域。
该MOSFET的额定连续漏极电流为100A(在芯片温度Tc=25°C时),这使得其在需要高电流承载能力的应用中尤为出色。它的漏源电压(Vdss)高达100V,足以满足大部分中等电压电源设计的需求,提供可靠的电流开关和电源调节功能。
主要特性
高功率耗散能力
PSMN6R9-100YSFX具有高达238W的功率耗散能力,使其在高功率应用中表现出色。这种特性对于需要长时间高负载运行的设备至关重要,可以有效减少因热量积累导致的性能下降。
高温工作能力
该MOSFET的工作温度可达到175°C(TJ),提供了在极端环境下正常工作的能力。这使得其特别适合汽车和工业应用,在这些场合下常常面临更高的温度和更严苛的工作条件。
高效能栅极驱动
PSMN6R9-100YSFX具有最大栅极电荷(Qg)为50.3nC@10V,这意味着其响应速度快,能够实现高效的换向能力。这对于需要快速开关操作的应用(如开关电源和DC-DC转换器)非常重要。
表面贴装型设计
采用LFPAK56-5封装的PSMN6R9-100YSFX设计为表面贴装型,可以有效节省板面积,并提供更好的散热性能。这使得其在现代电子设备,尤其是小型化设备中拥有广泛应用。
低导通电阻
尽管该器件在高电流和高功率条件下运行,PSMN6R9-100YSFX仍具有较低的导通电阻,帮助降低能量损耗,提高整体效率。这对于要求高效能的电源设计尤为重要。
应用领域
PSMN6R9-100YSFX适用于多种应用场景,包括但不限于:
总结
PSMN6R9-100YSFX凭借其卓越的性能、广泛的应用潜力和高功率处理能力,成为市场上极具吸引力的N沟道MOSFET选择。无论是在汽车、工业控制,还是高效能电源设计中,该MOSFET都能为设计师提供出色的解决方案,满足现代电子设备对性能的严格要求。选择PSMN6R9-100YSFX,确保您的设计在效率、稳定性和耐用性方面都能达到最佳状态。