类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 120A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 405W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 278nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 14.4nF@50V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
PSMN4R8-100BSEJ 是由 Nexperia USA Inc. 研发和制造的一款高性能的 N 通道 MOSFET。这款器件在电力电子和功率管理应用中具有广泛的应用潜力,尤其是在需要高电流和高压处理的场合。其优异的设计和技术特点使其在多个工业领域找到应用,包括电机驱动、开关电源、逆变器和其他功率转换电路。
PSMN4R8-100BSEJ 的设计旨在提供卓越的导通性能和散热能力,其低导通电阻使其在高电流应用中能有效减少热量生成,从而提升系统的效率和可靠性。该器件可以在高达 100V 的漏源电压下稳定工作,适应了多种电源和驱动系统的需求。由于其高达 120A 的连续漏极电流能力,使得该器件在很多高负载应用中具备良好的表现。
PSMN4R8-100BSEJ 的工作温度范围为 -55°C 到 175°C,表明其非常适合在极端温度条件下操作。这一特性使其在航空航天、汽车电子以及工业设备等高要求环境中的应用尤为突出。器件的高工作温度能力确保即使在严苛的环境下,依然能保持出色的性能和长久的使用寿命。
PSMN4R8-100BSEJ 广泛应用于以下领域:
随着现代电子设备向高效能和高集成度发展,PSMN4R8-100BSEJ 作为一款高性能 MOSFET,凭借其强大的电流容量、低导通电阻、宽温度范围和高功率处理能力,能够满足日益增长的电力电子需求。其稳定性和效率无疑将增强设备整体的性能,使其在市场上的竞争力大大提升。
PSMN4R8-100BSEJ 是一款设计精良、性能卓越的 N 通道 MOSFET,适合用于各种要求高电流和高电压的电力电子应用。无论是在工业、汽车还是新能源领域,它都展示了极为出色的应用潜力和市场价值。在寻求高效能和高可靠性解决方案的情况下,该产品无疑是一个值得信赖的选择。