PSMN2R2-40YSDX
PSMN2R2-40YSDX参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2mΩ@25A,10V |
| 功率(Pd) | 166W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@1mA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.664nF@20V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 193pF@20V | 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
PSMN2R2-40YSDX手册
PSMN2R2-40YSDX概述
PSMN2R2-40YSDX 产品概述
概述
PSMN2R2-40YSDX 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能 N 沟道 MOSFET，属于 TrenchMOS™ 系列，专为高功率密度应用设计。该元件具有卓越的导通性能和低导通电阻，能够在多种严苛环境下保持稳定的工作性能。凭借出色的技术参数，PSMN2R2-40YSDX 非常适合用于电源转换、逆变器、马达驱动以及其他需要大电流和高效率的电子电路中。
基本参数
- 制造商：Nexperia USA Inc.
- 系列：TrenchMOS™
- 产品状态：有源
- 类型：N 沟道 MOSFET
- 封装类型：SC-100, SOT-669
- 安装方式：表面贴装型
电气特性
PSMN2R2-40YSDX 具有卓越的电气性能，支持高达 180A 的连续漏极电流（Id），使其成为高电流、高功率应用的理想选择。其最大漏源电压（Vdss）为 40V，能够满足大多数中低压电源转换和驱动应用的需求。
- 最大连续漏极电流 (Id)：180A（在 Ta = 25°C 条件下）
- Vgs（栅源电压范围）：±20V
- 最大导通电阻 (Rds(on))：2.2 毫欧 @ 25A，10V，使得在高负载下仍能保持较低的功耗。
- 最大功率耗散：166W，确保在高温环境下也能稳定工作。
开关特性
PSMN2R2-40YSDX 的开关特性表现优异，具有较快的开关速度和低栅极电荷（Qg），仅为 63nC @ 10V。在实际应用中，这意味着可以实现更高效率的开关操作，降低 EMI（电磁干扰），同时增加系统的整体性能。
温度范围
该 MOSFET 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 175°C（TJ），使其能够在恶劣的环境条件下运行。这一特性使得 PSMN2R2-40YSDX 特别适合航空航天、汽车电子及工业控制等应用领域。
应用场景
PSMN2R2-40YSDX 适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源管理：用于开关电源、Buck 转换器及 Boost 转换器等场合。
- 马达驱动：广泛应用于直流电机控制和步进电机驱动中。
- 逆变器：适用于光伏逆变器和电动车辆的电力转换。
- 充电器：高功率快速充电设备中提供极佳性能。
- 工业自动化：在工业设备和控制系统中提供动力驱动。
封装与市场
PSMN2R2-40YSDX 使用的是 SC-100 和 SOT-669 封装，这种小型化设计不仅提高了电路密度，还有效降低了散热需求。此外，卷带（TR）包装形式便于自动化生产线的安装，提高了生产效率。
作为 Nexperia 品牌的一部分，PSMN2R2-40YSDX 获得了业界广泛认可，符合高标准的质量与保护要求。这使得它成为全球设计工程师和OEM制造商信赖的选择。
小结
整体而言，PSMN2R2-40YSDX 是一款功能强大、性能可靠的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电流承受能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，适合用于各类对性能要求严苛的电子应用。选择 PSN2R2-40YSDX 将为您的设计提供卓越的性能和可靠性。