PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLHX 产品概述

产品简介

PSMN1R6-30MLHX 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），设计用于各种要求高电流和低导通电阻的应用场景。此元件在高温、高功率环境下的稳定性和可靠性使其适用于工业、汽车电子、通信和电源管理等多个领域。

主要技术参数

1. 额定电流和电压：

   • 该 MOSFET 在 25°C 环境温度下具有高达 160A 的连续漏极电流（Id），能够满足大功率需求。
   • 漏源电压（Vdss）为 30V，使其可以在多种低电压应用中安全操作。

2. 导通电阻：

   • 在 10V 的栅源电压（Vgs）下，PSMN1R6-30MLHX 的最大导通电阻（Rds(on)）为 1.9 毫欧 @ 25A。这一低阻值保证了在开关过程中能量损耗最小，提高了系统的能效。

3. 门电压：

   • 最大门电压（Vgs）为 ±20V，确保在正常操作条件下，MOSFET 能够稳定工作，同时具备自我保护能力。

4. 栅极阈值电压和电容特性：

   • 在 1mA 电流下，阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 2.2V，适合用于精确的门极驱动设计。
   • 一个良好的驱动特性可以通过栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）来反映，其中 Qg 最大值为 41nC @ 10V，而 Ciss 在 15V 时最大为 2.369nF。这些参数表明此器件在高频开关方面的优秀表现。

5. 功率耗散和工作温度：

   • 最大功率耗散达到 106W（Ta），因此可以在较高功率条件下安全运行。此外，该 MOSFET 的工作温度范围广泛，介于 -55°C 到 175°C，适合于恶劣环境的应用。

封装与安装

PSMN1R6-30MLHX 采用 LFPAK33 表面贴装型封装，这种封装方式不仅紧凑，利于高密度电路板设计，而且优良的散热特性提高了器件的性能和稳定性。封装尺寸为 SOT-1210 的 8-LFPAK33，方便与其他元件进行嵌入式安装。

应用领域

由于其卓越的性能，PSMN1R6-30MLHX 可广泛应用于以下几个领域：

1. 汽车电子： 在电动汽车与混合动力汽车的电源管理系统和电机驱动控制模块中，此 MOSFET 的高电流能力和耐高温性能使其成为理想选择。

2. 电源转换： 适用于开关电源、直流-直流转换器和不间断电源（UPS）等设备，可有效提高能效并降低热损失。

3. 工业设备： 广泛应用于工业自动化设备和可编程逻辑控制器（PLC）中，能够承受高电流和苛刻工作环境。

4. 通信设备： 在各种基站和无线电发射器中，PSMN1R6-30MLHX 提供了节能和可靠性，满足了通信技术不断扩展的需求。

总结

作为一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，PSMN1R6-30MLHX 凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围，能够为各种高性能电力电子设备提供强大支持。无论是在汽车、工业、通信还是电力转换等领域，Nexperia 的这一产品都将为设计者和工程师提供更高的设计灵活性和系统效能。