PSMN1R1-40BS,118

产品概述：PSMN1R1-40BS,118

PSMN1R1-40BS,118是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能N型金属氧化物场效应管(MOSFET)，其设计旨在满足现代电子应用对高效率、高功率密度和高可靠性的需求。该MOSFET具备出色的电流承载能力和低导通电阻，为各种应用提供了强有力的支持。

主要参数与特性：

1. 性能指标：

   • 漏极电流 (Id): 在25°C环境下，连续漏极电流可达到120A（Tc），使得该器件适用于高负载条件下的应用。
   • 漏源电压 (Vdss): 此器件的额定漏源电压为40V，确保其在电源管理及开关电源中具有良好的耐压性能。

2. 导通电阻 (Rds(on))：

   • 在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻仅为1.3毫欧（在25A时），这使得器件在导通状态下的能量损耗极低，显著提高系统的能效。

3. 热性能：

   • 本器件的功率耗散最大可达306W（Tc），并且其工作温度范围广泛，覆盖了-55°C至175°C，这使得它能够在严苛的环境下稳定运行。

4. 栅极特性：

   • 最大栅极驱动电压为±20V，这使得其能够兼容多种不同的驱动电路。栅极电荷(Qg)在10V下最大为136nC，确保快速的开关响应，适合高频开关应用。
   • 最大栅极阈值电压 (Vgs(th))为4V（在1mA时），这使得用户在设计中能够更容易地控制MOSFET的开关特性。

5. 电容特性：

   • 输入电容(Ciss)最大值为9710pF @ 20V，提供了良好的输入特性，减少了开关损耗并提高了信号的稳定性。

封装与安装： PSMN1R1-40BS,118采用表面贴装型封装（D2PAK），其封装形式为TO-263-3。这种封装方式具有良好的散热性能和高密度安装特性，适合于现代小型化电子设备。

应用领域： 该MOSFET广泛应用于电源管理、逆变器、DC-DC转换器、电动工具、汽车电子、以及其他需要高电流和高效能的应用场合。其出色的性能使其成为高效能电路设计的理想选择。

总结： PSMN1R1-40BS,118是一款高度优化的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电流处理能力、低导通电阻、广泛的工作温度范围及高功率能力，为各种高效能电源电路设计提供了强有力的支持。无论在电源转换、动力驱动或是高频开关应用中，PSMN1R1-40BS,118都展现出色的性能和可靠性，必将是设计工程师们的优选器件。