类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 300A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.87mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 291W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 109nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 7.668nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 445pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、基本信息
PSMN0R9-30YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),该产品专为需要高电流和低导通电阻的应用场景设计。采用卷带(TR)包装形式,便于自动化贴片和批量生产。
二、产品特点
高电流承载能力: PSMN0R9-30YLDX 的连续漏极电流(Id)高达 300A(在封装温度 Tc 下),使其非常适合高功率应用,如电源管理、马达驱动和电动汽车等。
低导通电阻: 在 10V 的栅源电压(Vgs)下,PNSMN0R9-30YLDX 的导通电阻(Rds On)最大值为 0.87 毫欧(在 25A 流过时),这使得其在工作过程中具有较低的能量损耗,非常适合高效率电源转换应用。
宽广的工作温度范围: 其工作温度可达 -55°C 至 150°C(TJ),这意味着该 MOSFET 适合于工业级和航空航天要求高的环境。
高功率耗散能力: 该产品的功率耗散能力可达到 291W,使其在高负载条件下也能稳定工作。
高输入电容: 输入电容(Ciss)最大值为 7668pF(在 15V 下),这在高频开关应用中稳定性能表现突出。
高栅极电荷: 最大栅极电荷(Qg)在 10V 下为 109nC,对于开关频率较高的应用而言,可以大幅降低栅驱动电路的功耗。
封装形式: LFPAK56(SOT-1023,4-LFPAK)表面贴装封装,具有良好的散热性能与小尺寸特点,适合于高密度设计和小型化电路。
三、应用场景
PSMN0R9-30YLDX MOSFET 适用范围广泛,具备优异的电气特性与热性能,是多种高性能应用的理想选择,包括但不限于:
电源管理: 用于 DC-DC 转换器和电压调节器,可以显著提高整体能效。
马达控制: 是各种电动机驱动器的核心元件,凭借其高电流承载能力,能够有效地控制电动马达的启动、运行及停止。
电动车辆: 在电动汽车的动力系统中,用于功率转换和电池管理系统,能有效提供动力并降低能耗。
工业自动化: 在自动化设备和工业机器人中,对电源控制及驱动信号进行精确控制,达到高效能和可靠性。
四、总结
PSMN0R9-30YLDX 作为 Nexperia 的代表性 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电流承载能力、低导通电阻和宽温工作范围,成为多种高性能电源和驱动应用的理想选择。不论是在电源管理,电动车辆还是工业自动化领域,它都能为设计师提供可靠、稳定且高效的解决方案。选择 PSMN0R9-30YLDX,您将为您的项目赋予更高的性能与效率。