类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 43A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 59mΩ@10V,12A |
功率(Pd) | 113W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 27.9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.529nF@30V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
PSMN059-150Y,115 是一款高性能 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),由知名制造商 Nexperia USA Inc. 生产。该产品是一款有源电子元器件,广泛应用于电源管理、开关电源和各种高功率应用场合。凭借其优异的电气特性和耐用性,PSMN059-150Y,115 是高效能电子电路设计中的理想选择。
PSMN059-150Y,115 采用 LFPAK56 封装,提供优良的散热性能并适合表面贴装(SMD)技术,便于在现代电子设备中集成。这种封装设计能够有效减少安装空间,同时提升电路板的整体布局灵活性。
由于其卓越的电气特性,PSMN059-150Y,115 可以广泛应用于以下领域:
PSMN059-150Y,115 的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C,这使得其在严酷的环境条件下仍能保持良好的性能,适用于航天、军事及工业应用。另外,该器件的易于获取性和制造商 Nexperia 提供的质量保证,使其成为设计师和工程师的可靠选择。
总体而言,PSMN059-150Y,115 是一款高效、稳定且可靠的 N 通道 MOSFET,具备诸多优越性能,能够在高流与高压条件下可靠工作。它适合多种复杂应用场景,并成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。无论是在电源管理、开关电源还是电机控制系统中,PSMN059-150Y,115 都能为产品提供出色的性能支持,是寻求高可靠性和高效率电子元件的首选产品。