PSMN059-150Y,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PSMN059-150Y,115

商品编码: BM0118559566
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK56-5
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 113W 150V 43A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
5.99
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.99
--
100+
¥5
--
750+
¥4.54
--
1500+
¥4.36
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

PSMN059-150Y,115参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)43A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)59mΩ@10V,12A
功率(Pd)113W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)27.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.529nF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

PSMN059-150Y,115手册

PSMN059-150Y,115概述

产品概述:PSMN059-150Y,115

1. 产品简介

PSMN059-150Y,115 是一款高性能 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),由知名制造商 Nexperia USA Inc. 生产。该产品是一款有源电子元器件,广泛应用于电源管理、开关电源和各种高功率应用场合。凭借其优异的电气特性和耐用性,PSMN059-150Y,115 是高效能电子电路设计中的理想选择。

2. 关键特性

  • 工作电流及功率: PSMN059-150Y,115 在 25°C 温度下可连续承受 43A 的漏极电流,这使其非常适合高电流应用。其最大功率耗散能力为 113W,确保即使在高负载条件下也能安全运行。
  • 电压规格: 该元件的漏极源极最大电压为 150V,使其在较高电压应用中表现出色,并可以处理大多数电源系统中的过压情况。
  • 导通电阻: 在 10V 的栅极驱动电压下,导通电阻(Rds(on))最大值为 59 毫欧(@ 12A),表明其在开启状态下阻抗极低,有助于降低功耗和提高整体能效。
  • 栅极阈值电压: Vgs(th) 最大值为 4V(@ 1mA),这意味着在较低的栅极电压下即可有效导通,使其在低电压驱动条件下同样表现优异。

3. 封装与安装

PSMN059-150Y,115 采用 LFPAK56 封装,提供优良的散热性能并适合表面贴装(SMD)技术,便于在现代电子设备中集成。这种封装设计能够有效减少安装空间,同时提升电路板的整体布局灵活性。

4. 应用领域

由于其卓越的电气特性,PSMN059-150Y,115 可以广泛应用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS): 高效率的电源转换和管理,降低能源损耗,提高系统的整体反馈。
  • 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV): 在电源管理及电动机驱动中作为开关元件。
  • 电机控制: 适用于各种电机会电路中的高速开关转换。
  • 高频应用: 由于其输入电容(Ciss)小(最大 1529pF @ 30V),适合用于高频信号的切换,从而支持高频负载的高效操作。

5. 环境与可用性

PSMN059-150Y,115 的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C,这使得其在严酷的环境条件下仍能保持良好的性能,适用于航天、军事及工业应用。另外,该器件的易于获取性和制造商 Nexperia 提供的质量保证,使其成为设计师和工程师的可靠选择。

6. 总结

总体而言,PSMN059-150Y,115 是一款高效、稳定且可靠的 N 通道 MOSFET,具备诸多优越性能,能够在高流与高压条件下可靠工作。它适合多种复杂应用场景,并成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。无论是在电源管理、开关电源还是电机控制系统中,PSMN059-150Y,115 都能为产品提供出色的性能支持,是寻求高可靠性和高效率电子元件的首选产品。