PSMN011-100YSFX 产品实物图片
PSMN011-100YSFX 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PSMN011-100YSFX

商品编码: BM0118560091
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
LFPAK56-5
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 152W 100V 79.5A 1个N沟道 SOT-669
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.73
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.73
--
100+
¥5.61
--
750+
¥5.1
--
22500+
产品参数
产品手册
产品概述

PSMN011-100YSFX参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)79.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.9mΩ@20A,10V
功率(Pd)152W阈值电压(Vgs(th)@Id)3.1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)34.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.258nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)21pF@50V工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

PSMN011-100YSFX手册

PSMN011-100YSFX概述

PSMN011-100YSFX 产品概述

1. 产品简介

PSMN011-100YSFX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由 Nexperia USA Inc. 生产。该元器件的设计旨在满足高功率和高效率的电子应用需求,广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动、电池管理系统等领域。

2. 主要参数

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 产品类型: N 通道 MOSFET
  • 封装类型: LFPAK56-5,符合 SOT-669 尺寸标准
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss): 100V
  • 连续漏极电流 (Id): 79.5A (在 25°C 的环境温度下)
  • 最大功率耗散: 152W
  • 导通电阻 (Rds(on)): 最大 10.9 毫欧 @ 20A, 10V
  • 门极驱动电压(Vgs): 最大值 ±20V,导通状态时可接收 7V 至 10V 的驱动电压
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 1mA
  • 栅极电荷 (Qg): 最大 34.3 nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss): 最大 2.258 nF @ 50V

3. 性能优势

PSMN011-100YSFX 具有以下几个重要的性能优势:

  • 高电流能力: 能够承受高达 79.5A 的连续漏极电流,适合重负载应用,确保设备的可靠性和稳定性。
  • 低导通电阻: 提供低至 10.9 毫欧的导通电阻,极大降低了功率损耗,提高了系统的能效,有助于提高整体性能。
  • 高功率处理能力: 最大功率耗散为 152W,使其适用于高功率应用,能够在多种工作条件下运行而不易过热。
  • 宽工作温度范围: 工作温度范畴广,从 -55°C 至 175°C,能够在极端条件下正常运行,适合于军用、航空和工业设备等要求高可靠性的环境。
  • 高开关效率: 由于其小型化的输入电容和栅极电荷特性,使得 PSN011-100YSFX 在高频开关应用中表现出色,可以显著提高开关效率,减少开关损耗。

4. 应用场景

PSMN011-100YSFX 广泛应用于多种电子电路和系统中,具体应用场景包括但不限于:

  • 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器等电源管理模块中,作为开关元件,控制电流流向,实现高效的电能转换。
  • 电动机驱动: 用于电动机控制器中,作为逆变器元件,能够高效地控制电动机的启停和速度变化。
  • 逆变器应用: 在太阳能逆变器及不间断电源(UPS)中用于电压转换和稳定。
  • 汽车电子: 在电动汽车以及混合动力汽车的电池管理系统中,适用于高压和高功率的应用需求。
  • 电池管理系统: 在各种锂电池管理系统中,通过 MOSFET 实现对各个电池单元的高效控制和监测。

5. 结论

总之,PSMN011-100YSFX 是一款卓越的 N 通道 MOSFET,结合了高电流能力、低导通电阻和宽工作温度范围,适合于多种要求高效和高功率的应用。其出色的性能参数使得它在现代电子设计中成为一个可靠的选择,能够满足日益提升的电力与能效需求。选择 PSMN011-100YSFX,将为您的电子设计提供强大的性能保障,助力产品在市场中获得竞争优势。