PMZB600UNELYL 产品实物图片
PMZB600UNELYL 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMZB600UNELYL

商品编码: BM0118560683
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
DFN-1006B-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.556
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.556
--
100+
¥0.383
--
500+
¥0.349
--
2500+
¥0.323
--
5000+
¥0.302
--
10000+
¥0.277
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMZB600UNELYL参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)600mA导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)470mΩ@4.5V,0.6A
功率(Pd)360mW阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)700pC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)21.3pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)4.2pF@10V工作温度-55℃~+150℃

PMZB600UNELYL手册

PMZB600UNELYL概述

PMZB600UNELYL 产品概述

产品背景

PMZB600UNELYL 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET,属于 TrenchMOS™ 系列。此产品特别设计用于需要高效率和高集成功能的电子设备,适用于广泛的应用场景,包括电源管理、负载开关、线性调节器等。

主要特点

  1. 高电流承载能力: 该 MOSFET 在25°C环境温度下可提供高达600mA的连续漏极电流(Id),满足多种低功率应用的需求。
  2. 低导通电阻: 在4.5V的栅极驱动电压下,其最大导通电阻(Rds(on))为620毫欧,这使得该器件在导通状态下损耗极低,有助于提高整体电路的效率。
  3. 高压承受能力: PMZB600UNELYL 的漏源电压(Vdss)可达20V,适合大多数低压直流应用,可以轻松满足常见电源需求。
  4. 宽范围工作温度: 该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C,确保其在极端环境下的可靠性能,适合工业、汽车及航空航天等领域的应用。
  5. 适配多种驱动条件: 最大栅极电压(Vgs)为±8V,提供灵活的驱动方案,以适应不同电路的设计需求。同时,950mV的阈值电压(Vgs(th))确保了低电压下的灵敏反应。
  6. 小型封装设计: 该器件采用 DFN1006B-3 封装,体积小巧,适合高密度电路板设计,有助于节省空间,便于自动化贴装。
  7. 优秀的电气特性: 在4.5V时,栅极电荷(Qg)为0.7nC,输入电容(Ciss)为21.3pF,这些参数使得该MOSFET在开关应用中表现出色,能够实现快速的开关切换,降低开关损耗。

应用领域

PMZB600UNELYL特别适合应用于以下领域:

  • 移动设备: 其低功耗特性使其成为智能手机和平板电脑的理想选择。
  • 便携式电源管理: 在便携式电源应用中,该器件能够有效管理电池充电和放电过程,提高电源转换效率。
  • LED驱动: 可以在大功率LED驱动电路中使用,实现稳定高效的LED亮度控制。
  • 汽车电子: 由于其宽温工作范围和高可靠性,适用于车辆的各类控制及驱动电路中。
  • 工业控制系统: 在蓄电池供电设备和可编程逻辑控制器中的开关应用,提供稳定可靠的开关性能。
  • 电动工具: 由于其高电流能力和小型封装,适合应用在电动工具的电源管理内。

结论

作为一款高效能的小型N通道MOSFET,PMZB600UNELYL 无疑满足了现代电子设计中对性能及尺寸的双重要求。凭借其优秀的电气特性与可靠性,PMZB600UNELYL 已成为设计师和工程师在低功耗、高效能应用中不可或缺的选择,能够为各种应用提供长期的稳定支持。