PMV50ENEAR

PMV50ENEAR 产品概述

一、产品简介

PMV50ENEAR是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由Nexperia USA Inc.制造。作为一款符合汽车行业标准的元器件，PMV50ENEAR经过AEC-Q101认证，确保其在高温和严苛环境下的可靠性。该MOSFET特别适合用于汽车电子、工业控制、电源管理及各种要求高开关效率的应用。

二、基本参数

• 制造商： Nexperia USA Inc.
• 系列： Automotive, AEC-Q101
• 零件状态： 有源
• 封装类型： SOT-23-3（TO-236AB）
• 工作温度范围： -55°C ~ 150°C

三、电气特性

1. 漏极电流 (Id) :

   • 连续漏极电流为3.9A（在25°C环境温度下），提供了良好的驱动能力，适用于大多数中高功率应用。

2. 导通电阻 (Rds(on)) :

   • 最大导通电阻为43毫欧，条件是在Id=3.9A及Vgs=10V时。这一低导通电阻值意味着该MOSFET在导通状态下能显著减少功率损耗，提升系统的能效。

3. 栅极阈值电压 (Vgs(th)) :

   • 最大值为2.5V @ 250µA，允许在较低的栅极电压下实现开关操作，有助于提高电路的灵活性。

4. 最大栅源电压 (Vgs) :

   • 可达±20V，为设计师提供更多的设计余地，适用于不同的驱动需求。

5. 功率耗散：

   • 在环境温度下（Ta）最大功率耗散为510mW，而在结温（Tc）下可达3.9W。这使得PMV50ENEAR适应多种工作环境和负载条件。

6. 漏源电压 (Vdss) :

   • 该器件的最大漏源电压为30V，适合于多种常见的电源和开关应用。

7. 输入电容 (Ciss) :

   • 最大输入电容为276pF @ 15V，较小的输入电容有助于提高开关速度，同时降低开关损耗。

8. 栅极电荷 (Qg) :

   • 栅极电荷值为10nC @ 10V，这一特性使得该器件在高频开关应用中表现出色，降低所需的驱动功率。

四、应用场景

PMV50ENEAR广泛应用于l汽车电子领域、开关电源、马达驱动和工业控制等多个领域。特别适合用于需要较高效率和可靠性的应用，例如高效的电源管理和高频开关电路，可以为用户提供更高的调节效率和更稳定的工作性能。

作为一款表面贴装型元器件，PMV50ENEAR在空间受限的环境中也能轻松实现高效的热管理，适合于现代电子产品中对轻薄和小型化的要求。

五、总结

PMV50ENEAR结合了低导通电阻、宽工作温度范围以及优良的电气特性，是一款兼具高性能和可靠性的N通道MOSFET。其汽车级别的设计标准和耐高温性能，使得它在各种严苛的环境中都能保持稳定的工作状态。无论是在汽车电子还是其他工业应用中，PMV50ENEAR都是工程师值得信赖的选择。