类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 34mΩ@4.5V,3A |
功率(Pd) | 980mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.465nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 133pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
PMV30XPEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET,专为汽车电子应用设计,符合 AEC-Q101 认证标准,确保其在严酷环境中的可靠性与耐久性。这款 MOSFET 在广泛的工作温度下(-55°C 至 150°C)表现出卓越的电气特性,适合需要较高保护和稳定性的汽车应用。其采用表面贴装型封装(SOT-23-3),便于自动化生产和空间优化,适合现代电子设计的需求。
电流和电压规格:
导通电阻:
工作温度范围:
驱动电压和门极电压特性:
门极电荷和输入电容:
PMV30XPEAR 的特性使其在多个应用场景中显得尤为重要,包括:
PMV30XPEAR 采用 SOT-23-3 封装,这种封装类型有助于节省PCB空间,适应现代轻薄化电子产品的设计要求。它的表面贴装设计使其在自动化装配时更为简便,提升了生产效率。此外,TO-236AB 封装提供了良好的散热性能,确保在高功率应用中器件能够保持稳定工作。
PMV30XPEAR 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,结合了优秀的电流处理能力、宽工作温度范围以及低导通电阻,特别适合应用在要求高性能和高可靠性的环境中。其合适的封装和电气特性,使其成为汽车、工业和消费电子领域中的理想选择,为工程师提供了更多灵活的设计方案。无论是在机械控制还是电源切换中,PMV30XPEAR 都能帮助客户实现更高的设计效率和更好的产品性能。