类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 385mΩ@10V,1.5A |
功率(Pd) | 1.92W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 195pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 9pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
PMT280ENEAX是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由Nexperia USA Inc.制造,专为各种电源管理及开关应用而设计。其采用了表面贴装型(SMD)封装,具体封装类型为SOT-223-3,使得其在空间受限的应用场景中具有极佳的安装灵活性。
PMT280ENEAX的功率耗散能力为770mW(在25°C环境下),使得其能够在持续工作中保持较低的温度。而其工作温度范围广泛(-55°C至150°C),确保了在各种极端温度环境条件下都能保持可靠的性能。此外,器件能够承受高达±20V的栅电压,进一步增强了其应用的灵活性。
PMT280ENEAX适合应用于各种电子设备中,如:
总体而言,PMT280ENEAX以其优越的电气性能及稳定性,成为了各种电源管理及开关应用中不可或缺的元器件。它不仅满足了常见应用的要求,同时也为高效、环保的电源系统打下坚实的基础。凭借其卓越的热特性和兼容性,这款MOSFET为电子设计工程师提供了可靠的解决方案,是现代电子设计中一款理想的选择。