类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@10V,2.3A |
功率(Pd) | 63W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@0.24mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 23nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 570pF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 51pF@0...480V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IPD80R1K4CEATMA1是由英飞凌(Infineon)推出的一款高性能N沟道MOSFET。这款场效应管在电力电子应用中提供了卓越的电压和电流承载能力,广泛应用于高压电源、开关电源和电机驱动等领域。其出色的规格和灵活的特性使其成为现代电子设计中不可或缺的一部分。
IPD80R1K4CEATMA1因其优异的电气性能而广泛应用于多种领域,包括但不限于:
IPD80R1K4CEATMA1产品设计考虑到了高压、高电流应用的实际需求,其高耐压和出色的导通特性使其在尖端技术中具有竞争力。同时,其宽广的工作温度范围和可靠的功率耗散特性,确保了该产品在各种极端工作条件下的稳定性与可靠性。
IPD80R1K4CEATMA1是英飞凌的一款高性能N沟道MOSFET,以其优越的电压和电流特性、灵活的应用范围和卓越的热管理能力而受到广泛关注。无论是在电源转换、马达控制还是其他高功率应用中,其稳定性和可靠性都为电子工程师提供了良好的解决方案和设计选择。选择IPD80R1K4CEATMA1,意味着选择先进技术与优质性能的结合,为您的设计带来更高的效率和更低的能耗。