类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@4.5V,1.5A |
功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 600mV@11uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 346pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 128pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
概述
BSL215CH6327XTSA1 是一款由英飞凌(Infineon)公司制造的互补型场效应管(MOSFET),采用SOT-23-6封装(PG-TSOP-6-6),其具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。这款器件包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET,非常适合用于低电压和小功率的高频开关电源、驱动电路以及其它数字电路。
主要参数
应用场景
BSL215CH6327XTSA1的特性使其非常适合多种应用领域,包括但不限于:
封装及安装
BSL215CH6327XTSA1采用PG-TSOP-6-6封装,表面贴装型设计,适合自动化生产线的高效组装。其小型化的封装有助于空间受限的应用,如智能手机、可穿戴设备和其他通信设备。
总结
BSL215CH6327XTSA1是一款具有良好性能、可靠性和适用性的高端互补型MOSFET。其出色的电气特性和宽广的工作温度范围使得它在多种电子设备和应用场合中表现优异。无论是在对功率和效率有高要求的电源管理应用,还是在需要快速切换和逻辑控制的数字电路中,BSL215CH6327XTSA1都堪称理想选择。作为现代电子设计中的重要组成部分,它将为系统性能的提升和创新性应用的发展开辟新的可能性。