类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 45A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,20A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.049nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 88.7pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
NCE60P45K是一款高性能P沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为110W,工作电压为60V,连续电流可达45A。该元器件采用TO-252-2封装设计,适用于各种电子应用,尤其是在高效能和低功耗系统中的重要角色。新洁能(NCE)作为知名的半导体制造商,凭借其优良的产品质量和可靠性,为电子工程师和设计师提供了强有力的支持。
NCE60P45K的主要特点包括:
NCE60P45K广泛应用于各类电子产品和系统中,主要包括:
NCE60P45K的设计考虑到了现代电子产品对效率、稳定性和兼容性的要求。其优异的电性能和较低的反向恢复电荷使其在高频率应用场合表现出众。此外,随着科技的进步,固定式和可调式开关电源正越来越多地被应用于家用电器及其他电子设备中,该MOSFET的可靠性和高效率为整个电源系统的性能提供了保障。
总之,NCE60P45K P沟道MOSFET是一款设计优良、性能卓越的元器件,适用于各种高效能电子应用。基于其高电流承载能力、低导通电阻和良好的开关特性,迅速成为行业内工程师和设计师的热门选择。无论是在工业控制、消费电子还是新兴科技领域,NCE60P45K都将在未来的电子产品中发挥不可或缺的作用。选择NCE60P45K,您将获得卓越的电气性能与可靠性,助力您的项目成功。