类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 44A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17mΩ@10V |
功率(Pd) | 50W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 34nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.949nF@40V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@40V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMT8012LK3-13 是一款由美台 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),具有优异的电流承受能力和较低的导通电阻。该型号特别适合高性能开关应用,可广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动及负载开关等多种领域。由于其高达 44A 的连续漏极电流能力、80V 的漏源电压以及良好的热性能,使其在紧凑的电路设计中表现出色。
DMT8012LK3-13 MOSFET 的设计使其适用于多种应用场景,包括:
DMT8012LK3-13 N 通道 MOSFET 结合了高电流能力、低导通电阻和优越的热特性,已经成为目前市场上具有竞争力的电子元器件,适用于各种高效能应用。无论是电源管理还是高频转换,其出色的性能都得到广泛认可。选用 DMT8012LK3-13 作为设计方案的一部分,将为用户提供更加可靠和高效的电路解决方案。