DMN15H310SE-13

DMN15H310SE-13 产品概述

一、产品简介

DMN15H310SE-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为广泛的应用场景设计，能够在高电压环境下提供可靠的电流控制。该元器件具有较高的漏源电压（Vds）和出色的连续电流特性，适用于消费电子、电源管理、能源转换等领域。

二、关键参数

1. FET 类型及技术：该产品为 N 通道 MOSFET，采用金属氧化物场效应晶体管技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。

2. 漏源电压（Vdss）：DMN15H310SE-13 的最大漏源电压为 150V，适合高电压应用，为设计者提供足够的安全余量。

3. 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，该器件的连续漏极电流可达到 2A，而在更高的设备温度（即接线温度 Tc）下可达到 7.1A，展现出优秀的热特性。

4. 导通电阻（Rds(on)）：该器件在 10V 的栅极驱动下，1.5A 电流下最大导通电阻为 310 毫欧，确保在实际应用中提供较低的功耗。

5. 栅源电压阈值（Vgs(th)）：在 250µA 的条件下，该互补器件的最大栅极阈值电压为 3V，这为更灵活的驱动设计提供了可能。

6. 栅极电荷（Qg）：在 10V 的栅极驱动下，栅极电荷为 8.7nC，表明该器件具有较快的开关速度，适合高频应用。

7. 输入电容（Ciss）：在 25V 下，最大输入电容为 405pF，低输入电容有助于减少驱动电路的负担。

8. 功率耗散：该产品的最大功率耗散为 1.9W（环境温度下），能够在合理的散热设计下稳定工作。

9. 工作温度范围：DMN15H310SE-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于恶劣环境和高温场合。

10. 封装类型：采用 SOT-223 表面贴装封装，符合现代紧凑型设计要求，便于集成到各种电路板中。

三、应用领域

DMN15H310SE-13 的应用范围非常广泛，主要包括但不限于以下领域：

• 电源管理：作为开关元件用于降压转换器、升压转换器和电源适配器等电源管理设备。
• 驱动电路：驱动电机、继电器和其他日常电气设备。
• 消费电子：在电视、音响、电脑等消费电子产品中用于能量转换和电流控制。
• 汽车电子：适合用于车辆的动力管理系统和电子控制单元(ECU)中，支持高压和高温环境的工作。
• 工业控制：应用于各种工业自动化设备中，以实现高效的电能转换和控制。

四、总结

DMN15H310SE-13 是一款经过精心设计、适应范围广泛的 N 通道 MOSFET。其高漏源电压、高连续电流能力和低导通电阻特性，使其成为设计高效可靠电子设备的理想选择。无论是在高温、高压或是复杂的环境中，其稳定性和可靠性都体现了 DIODES（美台）品牌对产品质量的承诺。借助于此产品，工程师们可以更轻松地满足现代电子产品的性能和能效要求。