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DMT3006LFDF-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMT3006LFDF-7

商品编码: BM0127477358
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 800mW 30V 14.1A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
704(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.71
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.71
--
100+
¥1.37
--
产品参数
产品手册
产品概述

DMT3006LFDF-7参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)3.7V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)22.6nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1320pF @ 15V
功率耗散(最大值)800mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装U-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘

DMT3006LFDF-7手册

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DMT3006LFDF-7概述

DMT3006LFDF-7 产品概述

概述

DMT3006LFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为需要高开关效率和较低导通损耗的应用而设计。它在工业控制、电源管理、电机驱动和消费电子等多种领域中都表现出色。该元器件由DIODES(美台)公司制造,具有卓越的电气特性和良好的热管理能力,适合多种严苛的环境条件。

关键参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss): 最大可承受电压为30V,适合中低压应用。
  • 最大漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,能够连续承受高达14.1A的电流,确保在高负载下的稳定性。
  • 驱动电压: 提供两种典型的驱动电压选项,分别为3.7V 和 10V,最大限度地提升系统设计灵活性。
  • 导通电阻: 在10V Vgs下,最大导通电阻仅为7毫欧(@9A),有效减少了功率损耗和发热。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为3V(@250µA),可确保MOSFET在低电压驱动下正常工作。
  • 栅极电荷: Qg 最大值为22.6nC(@10V),表示在开关过程中,栅极驱动负担较轻,提升了开关速度。
  • 输入电容(Ciss): 最大输入电容为1320pF(@15V),有效降低了开关损耗,提高了电路兼容性。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为800mW(Ta),确保元器件的稳定运行,不易过热。
  • 工作温度范围: 宽广的工作温度范围为-55°C 到 150°C,适合各种环境和应用需求。

封装与安装

DMT3006LFDF-7采用U-DFN2020-6包装形式,特征为6个裸露焊盘的表面贴装型设计。这种封装方式不仅降低了空间的占用,还提供了良好的热传导性能及电气连接,使得在紧凑电路中使用时,可以有效提高整体可靠性。

应用领域

由于其卓越的电气特性,DMT3006LFDF-7广泛应用于多个领域,包括:

  • 电源管理: 适合于开关电源电路、DC-DC转换器等。
  • 电机驱动: 适用于各种电机驱动电路,能够处理高负荷和瞬态电流。
  • 工业控制: 在自动化设备中,以高效率和低损耗实现开关控制。
  • 消费电子: 在各种电子产品中,如便携式设备、智能家居产品等,提供高效的电源管理方案。

总结

DMT3006LFDF-7 作为一款高效能N通道MOSFET,其优秀的电气特性和宽广的工作温度范围,使其在多种应用场景中拥有极高的价值。随着电子产品的不断发展,对 MOSFET 性能提出的要求也在不断提升,而DMT3006LFDF-7凭借其强大的功能和稳定的性能,必将在未来的市场中发挥越来越重要的作用。无论是在新产品开发还是在现有设计的改进中,它都将是一个值得信赖的选择。