FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 3.7V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22.6nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1320pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 800mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(F 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMT3006LFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为需要高开关效率和较低导通损耗的应用而设计。它在工业控制、电源管理、电机驱动和消费电子等多种领域中都表现出色。该元器件由DIODES(美台)公司制造,具有卓越的电气特性和良好的热管理能力,适合多种严苛的环境条件。
DMT3006LFDF-7采用U-DFN2020-6包装形式,特征为6个裸露焊盘的表面贴装型设计。这种封装方式不仅降低了空间的占用,还提供了良好的热传导性能及电气连接,使得在紧凑电路中使用时,可以有效提高整体可靠性。
由于其卓越的电气特性,DMT3006LFDF-7广泛应用于多个领域,包括:
DMT3006LFDF-7 作为一款高效能N通道MOSFET,其优秀的电气特性和宽广的工作温度范围,使其在多种应用场景中拥有极高的价值。随着电子产品的不断发展,对 MOSFET 性能提出的要求也在不断提升,而DMT3006LFDF-7凭借其强大的功能和稳定的性能,必将在未来的市场中发挥越来越重要的作用。无论是在新产品开发还是在现有设计的改进中,它都将是一个值得信赖的选择。