类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 6.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@4.5V,6.2A |
功率(Pd) | 660mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.4nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.537nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 127pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
1. 概要
DMP2066UFDE-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为需要低导通电阻和高效率的应用场合设计。其漏源电压 (Vdss) 可达到 20V,标称连续漏极电流 (Id) 为 6.2A,能够在多种工作环境下稳定运行。这款 MOSFET 的封装形式为 U-DFN2020-6,采用表面贴装设计,方便与各种电路板集成。
2. 关键参数
3. 应用领域
DMP2066UFDE-7 由于其卓越的电性能和可靠性,非常适合用于以下领域:
电源管理: 在电源开关、DC-DC 转换器和功率放大器中,DMP2066UFDE-7 可以用作主开关元件,增强电源的效率和稳定性。
移动设备: 在手机、平板电脑等便携式电子设备中,可用于电源调节和电源路径切换,因其低Vgs(th)和小Qg,能够实现快速切换,节省电池能耗。
LED 驱动电路: 用作 LED 照明中的开关元件,优异的 Rds(on) 和额定电流使其能够有效控制灯光的输出和变化。
汽车电子: 在汽车电子控制模块、智能驾驶和电动汽车中,DMP2066UFDE-7 可用于用于负载开关和功率调节。
4. 性能优势
DMP2066UFDE-7 在性能上具有众多优势,其低导通电阻和高电流承载能力使其在相同条件下的功率损耗更低。同时,它的高工作温度范围和耐受性,确保了在极端环境条件下的稳定工作。此外,U-DFN2020-6 封装有助于降低电路板的占用空间,使其在现代小型化电子产品中的应用尤为广泛。
5. 结论
综上所述,DMP2066UFDE-7 是一款兼具高效率和可靠性的 P 通道 MOSFET,适用于各种电源管理和信号开关应用。无论是在移动设备、汽车电子还是 LED 驱动电路中,它都表现出了优异的性能与适应性。作为 DIODES 品牌的一款高性能产品,DMP2066UFDE-7 定能满足工程师对电源解决方案的严格要求,为电路带来更高的效率和更小的体积。