DMN10H170SFG-13 产品实物图片
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DMN10H170SFG-13

商品编码: BM0127477376
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI3333-8
包装 : 
标准卷带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 940mW 100V 8.5A;2.9A 1个N沟道 PowerDI3333-8
库存 :
2920(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.4
按整 :
(1有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.4
--
100+
¥1.08
--
750+
¥0.902
--
1500+
¥0.819
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN10H170SFG-13参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2.9A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)122mΩ@10V,3.3A
功率(Pd)940mW阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14.9nC输入电容(Ciss@Vds)870.7pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)24.6pF@25V工作温度-55℃~+150℃

DMN10H170SFG-13手册

DMN10H170SFG-13概述

DMN10H170SFG-13 产品概述

制造商简介
DMN10H170SFG-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),被广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动和其他需要高效电流控制的场合。Diodes Incorporated 是一家全球领先的半导体制造商,专注于开发和提供高效率、高性能的电子元器件,以支持各种现代电子设备的需求。

产品特性
DMN10H170SFG-13 具有以下关键特性,使其在很多应用中兼具高效性与可靠性:

  • 电流容量: 本器件在 25°C 的环境温度下,具有 2.9A 的连续漏极电流(Id),在较高的温度环境下,该值可提高至 8.5A。这使得该 MOSFET 非常适合于电源和负载调节等多种应用。

  • 漏源电压: 该器件能够承受高达 100V 的漏源电压(Vdss),能够适应多种高电压电路设计的要求。

  • 驱动电压灵活性: DMN10H170SFG-13 支持的最大 Rds On 驱动电压分别为 4.5V 和 10V,使得设计者可以根据自身应用的需求来选择适宜的驱动条件。

  • 低导通电阻: 在 3.3A 时,器件的最大导通电阻 Rds(on) 仅为 122 毫欧,能够有效降低功率损耗,提高系统的整体效率。

  • 温度适应性: 本器件的工作温度范围为-55°C 到 150°C,适合在极端环境下进行正常工作,确保其在各种苛刻条件下的可靠性能。

  • 小型化设计: DMN10H170SFG-13 采用 PowerDI3333-8 封装,这种表面贴装型封装方式能够节省电路板空间,同时提供良好的热管理性能。

  • 低栅极电荷: 最大栅极电荷(Qg)为 14.9nC,在 10V 时测试,确保设备可以在较小的驱动功耗下完成开关操作。

应用领域
由于其卓越的性能,DMN10H170SFG-13 一般适用于以下应用场合:

  1. 开关电源: 在电源转换器中作为开关元件使用,能够实现高效的电源转换。

  2. 电机控制: 可用于电机驱动电路中,提供快速响应和高效的电流控制,适合用于伺服电机和无刷直流电机。

  3. LED驱动: 在LED照明系统中,作为调光元件和电流控制元件,发挥稳定的电流输出。

  4. 电池管理: 在电池充电和放电过程中,控制电流流动,确保设备的安全与可靠。

总结
DMN10H170SFG-13 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,具有广泛的应用前景。其优异的电流承受能力、低导通电阻和高工作温度范围使其在现代电子产品设计中极具价值。Diodes Incorporated 作为其制造商,凭借在半导体领域的技术积累,为客户提供高品质的电子元器件解决方案。无论是在电源管理、驱动控制还是其他高电流应用中,DMN10H170SFG-13 都是一个值得信赖的选择。