类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 2.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 122mΩ@10V,3.3A |
功率(Pd) | 940mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.9nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 870.7pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 24.6pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
制造商简介
DMN10H170SFG-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),被广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动和其他需要高效电流控制的场合。Diodes Incorporated 是一家全球领先的半导体制造商,专注于开发和提供高效率、高性能的电子元器件,以支持各种现代电子设备的需求。
产品特性
DMN10H170SFG-13 具有以下关键特性,使其在很多应用中兼具高效性与可靠性:
电流容量: 本器件在 25°C 的环境温度下,具有 2.9A 的连续漏极电流(Id),在较高的温度环境下,该值可提高至 8.5A。这使得该 MOSFET 非常适合于电源和负载调节等多种应用。
漏源电压: 该器件能够承受高达 100V 的漏源电压(Vdss),能够适应多种高电压电路设计的要求。
驱动电压灵活性: DMN10H170SFG-13 支持的最大 Rds On 驱动电压分别为 4.5V 和 10V,使得设计者可以根据自身应用的需求来选择适宜的驱动条件。
低导通电阻: 在 3.3A 时,器件的最大导通电阻 Rds(on) 仅为 122 毫欧,能够有效降低功率损耗,提高系统的整体效率。
温度适应性: 本器件的工作温度范围为-55°C 到 150°C,适合在极端环境下进行正常工作,确保其在各种苛刻条件下的可靠性能。
小型化设计: DMN10H170SFG-13 采用 PowerDI3333-8 封装,这种表面贴装型封装方式能够节省电路板空间,同时提供良好的热管理性能。
低栅极电荷: 最大栅极电荷(Qg)为 14.9nC,在 10V 时测试,确保设备可以在较小的驱动功耗下完成开关操作。
应用领域
由于其卓越的性能,DMN10H170SFG-13 一般适用于以下应用场合:
开关电源: 在电源转换器中作为开关元件使用,能够实现高效的电源转换。
电机控制: 可用于电机驱动电路中,提供快速响应和高效的电流控制,适合用于伺服电机和无刷直流电机。
LED驱动: 在LED照明系统中,作为调光元件和电流控制元件,发挥稳定的电流输出。
电池管理: 在电池充电和放电过程中,控制电流流动,确保设备的安全与可靠。
总结
DMN10H170SFG-13 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,具有广泛的应用前景。其优异的电流承受能力、低导通电阻和高工作温度范围使其在现代电子产品设计中极具价值。Diodes Incorporated 作为其制造商,凭借在半导体领域的技术积累,为客户提供高品质的电子元器件解决方案。无论是在电源管理、驱动控制还是其他高电流应用中,DMN10H170SFG-13 都是一个值得信赖的选择。