MUR120-T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MUR120-T

商品编码: BM0127477384
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
DO-41
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
快恢复/高效率二极管 875mV@1mA 200V 5uA@200V 1A DO-41
库存 :
1038(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.25
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.25
--
100+
¥0.967
--
1250+
¥0.807
--
2500+
¥0.733
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

MUR120-T参数

正向压降(Vf)875mV@1mA直流反向耐压(Vr)200V
整流电流1A反向电流(Ir)5uA@200V
反向恢复时间(trr)25ns工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

MUR120-T手册

MUR120-T概述

MUR120-T 产品概述

概述

MUR120-T是一种高效的快恢复二极管,属于标准二极管类型,适用于需要快速开关和高效率的各种电子电路。它的主要参数包括最大直流反向电压(Vr)为200V、平均整流电流(Io)为1A,以及较低的正向电压(Vf)为875mV(在1A时)。MUR120-T的反向恢复时间为25ns,适合用于高频应用。

技术特点

  1. 电气特性

    • 反向电压(Vr): MUR120-T的最大反向电压为200V,确保其在高电压条件下的可靠运行,适合于各种高压电源电路或整流设备。
    • 整流电流(Io): 其平均整流电流为1A,适用于许多应用场景,如电源适配器、充电器和高频开关电源等。
    • 正向压降(Vf): 随着电流的增加,在1A时,正向压降仅为875mV,这使得该二极管在工作过程中产生较少的能量损耗,提升了整体电路的效率。
  2. 速度

    • MUR120-T采用快速恢复设计,确保其在500ns内完全恢复。这一特性与反向恢复时间(trr)25ns相结合,使其非常适合于高频开关应用,从而降低开关损耗,提升系统性能。
  3. 反向泄漏电流

    • 在200V的反向电压下,其反向泄漏电流仅为2µA,这表明在高电压操作条件下,该二极管能够有效地阻挡流动的电流,提高了电路的可靠性。
  4. 工作温度范围

    • 其结温范围为-55°C到150°C,使MUR120-T能够在严苛的环境条件下稳定工作,从而扩大了其应用范围,特别适合于工业和汽车电子产品。

封装与安装

MUR120-T采用DO-41封装形式,具有良好的散热性能,便于通孔安装。其轴向的设计使得安装简单,并提供良好的机械强度和结构稳定性。这种类型的封装常见于电源模块、逆变器和其他电子设备中。

应用领域

MUR120-T广泛应用于以下领域:

  1. 电源变换器:可作为整流二极管在AC-DC变换器、电源适配器及电池充电器中使用,帮助转换电能并保证高效整流。
  2. 高频开关电源:因其快速恢复特性,特别适合高频开关电源中使用,可以有效降低开关损失和提高系统的工作效率。
  3. 电动机驱动:在电动机控制及驱动系统中也经常需要快恢复二极管,用于反向电流的保护以及提高系统的响应速度。
  4. 汽车电子:由于其宽广的工作温度范围,MUR120-T适合在汽车环境中使用,如在电动汽车充电系统及电气控制单元中。

总结

MUR120-T二极管凭借其优秀的电气特性、高效率、快速恢复能力以及广泛的应用范围,是现代电子设计中不可或缺的组件之一。适合各种高压和高频的应用,能够有效提升电路的整体性能与稳定性。无论是在消费电子、工业自动化,还是汽车电子领域,MUR120-T都展示出了极高的可靠性和优越的性能。选择MUR120-T,您将为电子设计注入更高的效率与防护能力。