类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 12.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@2.5V,5A |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.6nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 995pF@6V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 270pF@6V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN1008UFDF-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由美台(DIODES)公司制造,专为各种应用场合设计,以提供卓越的导电性能和温度稳定性。采用小型化的 U-DFN2020-6 封装,适合高密度电路的表面贴装,特别适用于便携式设备、电源管理和负载开关等领域。
DMN1008UFDF-7 的工作温度范围广泛,从 -55°C 至 150°C,确保在各种严苛环境下均能保持良好的性能。此外,其最大功率耗散可达 700mW,则在安全操作区域内,即使在高负载情况下也能有效防止过热,从而增加了器件的可靠性和使用寿命。
该 MOSFET 采用 U-DFN2020-6 封装,具有小尺寸和优越的散热特性,适合于空间有限的紧凑型设计。其裸露焊盘的设计有助于提升焊接性能和热管理能力,使其在高温条件下依然能够保持良好的工作状态。
DMN1008UFDF-7 N 通道 MOSFET 是一款高效、灵活和可靠的电子元件,凭借其强大的电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,具有广泛的应用潜力和市场需求。无论是在消费电子、工业控制或是汽车电子等领域,该器件都能满足现代电子设计对性能和效率的严格要求。