类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26.5mΩ@10V,5.8A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 860pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN3042LFDF-7 是由美台半导体厂商 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道 MOSFET(场效应管),它以其高效、紧凑的设计,适应于多种电子应用场景。这款器件以其优秀的电气性能和耐用性而受到广泛认可,适合用于电源管理、开关电源、低压驱动和其他需要快速开关和高效能的电路中。
DMN3042LFDF-7 使用现代化的 U-DFN2020-6 封装(裸露焊盘设计)。该表面贴装式封装具有极小的占板面积和优秀的热导性能,有助于提升系统的整体集成度,减少电路板的复杂度。同时,裸露焊盘设计可以有效降低电感,提升高频性能。
由于其各项优越的电气性能,DMN3042LFDF-7 在多个领域均有广泛应用,包括但不限于:
DC-DC 转换器:在电源管理系统中,MOSFET 的开关速度和效率至关重要,DMN3042LFDF-7 完美满足此需求,能够提供高效的电能转换。
电机驱动:可用于小型电机和致动器的驱动,在自动化领域尤其重要。
家电产品:广泛应用于洗衣机、冰箱、微波炉等家电产品中,提高能效。
LED 驱动:在灯光控制系统中,能够有效控制 LED 的功率及亮度。
移动设备及新能源汽车:在这些对能效要求较高的设备中,可以大大增强电力系统的稳定性和效率。
综上所述,DMN3042LFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,适应于多种电气应用场合。其具有的低导通电阻、较宽的工作温度范围、适宜的功率耗散能力以及紧凑的封装设计,使其成为现代电子设计中的理想元件。无论是用于电源转换、驱动还是控制,DMN3042LFDF-7 均能展示出卓越的性能,是提升产品效率与可靠性的理想选择。