DMN3042LFDF-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN3042LFDF-7

商品编码: BM0127477412
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
标准卷带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.1W 30V 7A 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
2400(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.884
按整 :
(1有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.884
--
200+
¥0.68
--
1500+
¥0.591
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN3042LFDF-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26.5mΩ@10V,5.8A
功率(Pd)1.4W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20nC输入电容(Ciss@Vds)860pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)80pF@15V工作温度-55℃~+150℃

DMN3042LFDF-7手册

DMN3042LFDF-7概述

DMN3042LFDF-7 产品概述

一、产品基本信息

DMN3042LFDF-7 是由美台半导体厂商 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道 MOSFET(场效应管),它以其高效、紧凑的设计,适应于多种电子应用场景。这款器件以其优秀的电气性能和耐用性而受到广泛认可,适合用于电源管理、开关电源、低压驱动和其他需要快速开关和高效能的电路中。

二、关键参数

  • 制程工艺:采用高级金属氧化物半导体(MOSFET)技术,具有优异的开关特性和低导通电阻。
  • 工作电压与电流:该型号的漏源电压(Vdss)为 30V,能够支持高达 7A 的连续漏极电流(Id),使其适合在较高电流负载下工作。
  • 导通电阻及其表现:在不同的驱动电压(Vgs)条件下,该MOSFET的最小导通电阻可低至 28 毫欧,特别在 10V 的栅极电压下,这意味着在较低的电压条件下也能保持较高的导电能力,显著降低能量损耗。
  • 栅极阈值:栅源阈值电压(Vgs(th))为 1.4V,能够保证在较低的驱动电压下启动电流,同时降低了对控制系统的要求。
  • 工作温度范围:该器件的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,适应各种严苛的工作环境。
  • 功率耗散:最大功率耗散能力为 2.1W,确保了器件在高温和大电流条件下运行的稳定性。

三、封装类型

DMN3042LFDF-7 使用现代化的 U-DFN2020-6 封装(裸露焊盘设计)。该表面贴装式封装具有极小的占板面积和优秀的热导性能,有助于提升系统的整体集成度,减少电路板的复杂度。同时,裸露焊盘设计可以有效降低电感,提升高频性能。

四、应用场景

由于其各项优越的电气性能,DMN3042LFDF-7 在多个领域均有广泛应用,包括但不限于:

  1. DC-DC 转换器:在电源管理系统中,MOSFET 的开关速度和效率至关重要,DMN3042LFDF-7 完美满足此需求,能够提供高效的电能转换。

  2. 电机驱动:可用于小型电机和致动器的驱动,在自动化领域尤其重要。

  3. 家电产品:广泛应用于洗衣机、冰箱、微波炉等家电产品中,提高能效。

  4. LED 驱动:在灯光控制系统中,能够有效控制 LED 的功率及亮度。

  5. 移动设备及新能源汽车:在这些对能效要求较高的设备中,可以大大增强电力系统的稳定性和效率。

五、结论

综上所述,DMN3042LFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,适应于多种电气应用场合。其具有的低导通电阻、较宽的工作温度范围、适宜的功率耗散能力以及紧凑的封装设计,使其成为现代电子设计中的理想元件。无论是用于电源转换、驱动还是控制,DMN3042LFDF-7 均能展示出卓越的性能,是提升产品效率与可靠性的理想选择。