类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@2.5V,4.2A |
功率(Pd) | 730mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 389pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 63pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2050LFDB-7 产品概述
DMN2050LFDB-7 是一款高性能的 N-通道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)提供。该器件专为符合逻辑电平门要求的应用而设计,具有卓越的性能和灵活的工作范围,适合用于多种电子设备的开关控制和功率管理。
关键技术参数
FET 类型和功能: DMN2050LFDB-7 是一款双 N-通道 MOSFET,具备逻辑电平门的特性,能够在较低的栅极电压(Vgs)下实现快速的开关动作。这一点对于需要低功耗控制的应用尤为重要。
漏源电压(Vdss): 该器件允许的最大漏源电压为 20V,这使得它可以在多个电压等级的电路中应用,而无需担心器件超出工作极限。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境下,DMN2050LFDB-7 的连续漏极电流能力高达 3.3A,确保其在高负载情况下仍能够稳健运行。
导通电阻(Rds(on)): 在 5A 和 4.5V 的条件下,该 MOSFET 的最大导通电阻为 45 毫欧。这一低导通电阻特性有助于优化功率损耗和热管理,使其在开关应用中表现出色。
栅极阈值电压(Vgs(th)): DMN2050LFDB-7 在 250µA 流过时的最大栅极阈值电压为 1V,适合与多种逻辑电平兼容的控制电路配合使用。
栅极电荷(Qg): 本产品的最大栅极电荷为 12nC(在 10V 下),这一指标对于高频应用至关重要,因为它直接影响开关速度和效率。
输入电容(Ciss): 输入电容的最大值为 389pF(在 10V 下),这一特性在应用中可以降低信号延迟,提高系统的响应速度。
功率额定值: DMN2050LFDB-7 的最大功率额定值为 730mW,能够满足大部分中小功率应用的需求。
工作温度范围: 器件的工作温度范围广泛,从 -55°C 至 150°C,确保其在各种环境条件下均可稳定运行。
封装和安装类型: 该 MOSFET 采用 6-UDFN 裸露焊盘封装,尺寸紧凑,有助于节省电路板空间,同时便于自动化贴装,适合现代电子设备的装配需求。
应用场景
DMN2050LFDB-7 的高效性能和灵活特性使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
结论
DMN2050LFDB-7 N-通道 MOSFET 通过其性能优越、能效高和广泛的应用灵活性,成为电子设计工程师和开发者的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车应用领域,它都能提供可靠的解决方案,并且在现代电子设计中发挥着重要的作用。对于追求高性能、高可靠性和低功耗的电子系统,其无疑是一个可依赖的组件。