类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@4.5V |
功率(Pd) | 730mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 15pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 82pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:DMN3016LFDE-13 MOSFET
DMN3016LFDE-13 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动和其他高效能电子电路中。该器件采用 U-DFN2020-6 表面贴装封装,具有紧凑的尺寸和优越的热性能,适合在空间受限的应用中使用。以下是 DMN3016LFDE-13 的详细参数及其应用优势。
DMN3016LFDE-13 采用 U-DFN2020-6 封装,这是一种紧凑型封装,经过优化以提高热管理能力,适合于表面贴装技术(SMT)。该封装设计具有裸露焊盘(Pad),便于优秀的热传导及有效的电气连接,能够减少电路板空间的占用,有助于提升整体设计的合理性。
DMN3016LFDE-13 的设计使其具备广泛的应用前景,主要包括但不限于以下几种场合:
综上所述,DMN3016LFDE-13 作为 DIODES 公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,其优异的电气特性和工作参数,使其成为电源管理系统、DC-DC 转换器、马达驱动等应用的理想选择。其兼具高效能与小型化的设计,满足现代电子设备对性能和空间的双重要求。无论是在特定的工业应用还是在消费类电子产品中,DMN3016LFDE-13 都能为设计人员提供可靠且高效的解决方案。