反向截止电压(Vrwm) | 85V | 最大钳位电压 | 137V |
峰值脉冲电流(Ipp) | 2.9A | 峰值脉冲功率(Ppp) | 400W |
击穿电压 | 94.4V | 反向漏电流(Ir) | 1uA |
类型 | TVS |
P4SMAJ85ADF-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能齐纳二极管,专为电压瞬态抑制(TVS)应用设计,提供出色的过电压保护。其具有较高的反向击穿电压和脉冲承受能力,适用于需要可靠性和高性能的电源线路保护和信号线保护方案。
P4SMAJ85ADF-13 适用于各种应用场景,特别是在以下二极管保护领域表现突出:
在选择 P4SMAJ85ADF-13 作为电压保护解决方案时,用户需确保其工作环境中的电压要求与该元件的击穿电压相匹配。此外,因其所承受的脉冲电流和功率指标较高,使其在高峰值瞬态的情况下依然能够稳定工作。在电路设计时,合理配置该齐纳二极管可有效地抑制高压冲击,增强系统的稳定性与可靠性。
P4SMAJ85ADF-13 是一种具有高效能、可靠性和空间适应性的齐纳二极管,适合广泛应用于多个电子设备和系统中,为用户提供有效的电压瞬态保护。无论是在对抗外部电压冲击的消费类电子产品,还是在要求严格的汽车和工业环境中,其优异的性能都可以确保电路的安全与有效运行。