DMP2045UFY4-7
DMP2045UFY4-7参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@1.8V,3.3A |
| 功率(Pd) | 670mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.8nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 634pF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 66pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2045UFY4-7手册
DMP2045UFY4-7概述
DMP2045UFY4-7 产品概述
产品简介
DMP2045UFY4-7是一款P沟道MOSFET（场效应晶体管），其设计特别适合用于需要高效电源管理和低电压应用，其主要特性包括较低的导通电阻和高效能耗散。这款MOSFET的额定漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)为4.7A，具有出色的控制特点，广泛应用于开关电源、负载开关和其他功率管理电路中。
关键参数
漏源电压 (Vdss): 该器件的漏源电压额定值为20V，使其适合大多数低电压驱动应用。它的工作范围足以满足多数家电、LED驱动及便携式设备的需求。
连续漏极电流 (Id): DMP2045UFY4-7在25°C时可以承受最高4.7A的漏极电流，展现出良好的电流承载能力，适合用于负载管理和高效控制。
导通电阻 (Rds On): 在4.5V的栅极驱动电压下，DMP2045UFY4-7的最大导通电阻为45毫欧，这一特性显著提升了在导通状态下的能效，减少了能量损耗及发热。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): DMP2045UFY4-7的阈值电压为最大1V（在250µA的电流下），确保了能够在低电压环境中有效驱动，提供稳定的开关特性。
栅极电荷 (Qg): 此器件在4.5V栅电压下的栅极电荷为最大6.8nC，反映出其较低的开关损耗，使得在高频应用中表现更为出色。
输入电容 (Ciss): 在10V的漏源电压下，其输入电容最大为634pF，利于增强开关频率，减小电路的延迟。
功率耗散 (Pd): 封装设计确保其最大功率损耗可达670mW，使得该MOSFET在高负载条件下依然保持良好的热稳定性。
工作温度 (Tj): DMP2045UFY4-7的工作温度范围为-55°C至150°C，保证其在极端环境下的可靠性。
封装类型: 采用X2-DFN2015-3封装，表面贴装设计适合现代电子设备的紧凑设计需求，便于自动化生产和组装。
应用场景
DMP2045UFY4-7非常适合用于以下应用场景：
- 开关电源：其高效切换特性和低导通电阻使该器件在DC-DC转换器中表现优异。
- 负载开关：可以有效控制各类负载的接通与断开，提高电源利用率。
- 电池管理：适合用于便携设备，能够在降低能耗的同时，延长电池使用寿命。
- LED驱动：由于其稳健的电流处理能力和低发热特性，适合驱动各种LED照明系统。
竞争优势
DMP2045UFY4-7凭借其优秀的电气性能、可靠的热管理和高工艺适应性，能够满足市场对高效能源管理的需求。同时，DIODES品牌的可靠性和广泛的应用范围也使其成为工程师们的首选。
结论
综上所述，DMP2045UFY4-7是一款优秀的P沟道MOSFET，广泛应用于现代高效电源管理和控制电路中。凭借其关键性能参数及极佳的工作稳定性，它将为各种电子设备提供有效的解决方案与支持，是寻求低功耗和高效能的工程师们理想的选择。