DMN10H220LQ-7 产品实物图片
DMN10H220LQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN10H220LQ-7

商品编码: BM0127477609
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.3W 100V 1.6A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
583(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.391
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.391
--
3000+
¥0.365
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN10H220LQ-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@4.5V,1.3A
功率(Pd)1.3W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)401pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)17pF@25V工作温度-55℃~+150℃

DMN10H220LQ-7手册

DMN10H220LQ-7概述

DMN10H220LQ-7 产品概述

产品概述

DMN10H220LQ-7 是由美台半导体(DIODES)推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有额定电压为 100V、连续漏极电流为 1.6A 的特性。这款 MOSFET 采用了 SOT-23-3 封装,设计紧凑,适用于表面贴装技术(SMT),非常适合于空间受限的应用场合。

关键参数

  • 漏源电压(Vdss): 该器件的最大漏源电压为 100V,足以满足大多数中等电压应用的需求。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,该 MOSFET 可承载 1.6A 的连续漏极电流,显著提高了其在散热条件良好的环境中的应用灵活性。
  • 导通电阻(Rds On): 在 10V 的栅源电压下,其导通电阻最大为 220 毫欧(@ 1.6A),这是一个相当低的值,能够有效降低功率损耗。
  • 驱动电压: 最佳驱动电压范围为 4.5V 至 10V,这一特性增加了与不同驱动电路的兼容性,为用户提供了设计的灵活性。
  • 开关特性: 输入电容(Ciss)在 25V 下最大为 401pF,栅极电荷(Qg)在 10V 下最大为 8.3nC。这些参数对高频率的开关应用非常关键,使得此 MOSFET 能够在快速开关条件下表现出良好的性能。

应用领域

DMN10H220LQ-7 适合广泛的应用领域,包括但不限于:

  1. 电源管理: 用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等。
  2. 开关电路: 适用于开关电源、马达驱动、负载开关等。
  3. 工业控制: 在工业自动化设备中,作为开关控制元件。
  4. 消费电子: 计算机、智能手机及其周边设备的电源调节。
  5. 汽车电子: 在电动车及其他汽车电子系统中,作为功率控制元件。

热特性和安全性

该 MOSFET 的最大功率耗散为 1.3W,因此在实际应用中设计时需考虑散热管理,以确保 IC 运作在安全温度范围内。工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,使其适应各种复杂的工作环境。这一特性使得 DMN10H220LQ-7 在高温或恶劣条件下依旧能够保持良好的工作稳定性。

封装与安装

DMN10H220LQ-7 采用 SOT-23-3 的封装,具有优良的散热性能及较小的占板面积,适应现代电子设备对小型化的需求。其表面贴装设计(SMD)极大地简化了安装过程,有助于在自动化生产线上提升效率。

总结

作为一款高效能的 N 通道 MOSFET,DMN10H220LQ-7 在多种电源管理和开关应用中展现出卓越性能。其低导通电阻、适中的漏源电压以及宽广的工作温度范围,使得该器件在性能与可靠性方面均具竞争力。针对不同的市场需求,该产品不仅适合高频率、高效能的电路设计,也为设计工程师提供了灵活的使用空间和多样化的应用选择。DMN10H220LQ-7 无疑是提高电路工作效率、减少能量损耗的理想选择。