晶体管类型 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V@10mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DCX114EH-7 是一款双极性接面晶体管(BJT),集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,设计用于高效的电流开关和放大应用。这款数字晶体管的预偏置设计使得其在低功率和高频应用中表现卓越,特别是在表面贴装的电子设备中,具有非常高的可靠性和适应性。其封装采用 SOT-563,适合紧凑型电路设计,方便实现在空间有限的应用场合。
DCX114EH-7 的多功能性和良好的电性能使其适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
作为 DIODES(美台)品牌的一部分,DCX114EH-7 保证了高标准的制造质量和可靠性,符合国际电子器件标准。这款产品在各种环境条件下均可保持稳定的性能,适合工业和消费级市场,确保在实际应用中的长期稳定性。
DCX114EH-7 是一款功能强大且灵活的数字晶体管,适用于多种电子应用。无论是在日常的消费电子产品中,还是在复杂的工业设备中,它都凭借其出色的性能和优秀的集成度,为设计师提供了更多的可能性。其合理的功耗和高效的电流特性,使其成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。选择 DCX114EH-7,用户不仅是选择了一款产品,更是选择了一个能够在复杂电路中提供高性能支持的解决方案。