DMN2300UFD-7

DMN2300UFD-7 产品概述

1. 产品简介

DMN2300UFD-7 是一款高性能 N 通道 MOSFET，由 Diodes Incorporated 制造。该器件专为多种应用设计，具备优异的电流处理能力和低导通电阻，适用于需要高效率和可靠性的现代电子产品。其工作温度范围广泛，能够在极端环境条件下稳定运行，成为高频开关、电源管理及其他功率控制应用的理想选择。

2. 主要参数

• 制造商: Diodes Incorporated

• 封装类型: X1-DFN1212-3

• 产品类别: 表面贴装型 (SMD) MOSFET

• 零件状态: 有源

• FET 类型: N 通道

• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）

• 额定电流: 支持 1.21A 的连续漏极电流（Id）在 25°C 的工作环境中。

• 导通电阻 (Rds(on)): 最大 200 毫欧 @ 4.5V 和 900mA 的应用情况，显示出其优异的电流传输能力。

• 栅极源电压 (Vgs): 可承受 ±8V 的栅极电压，保证在不同驱动条件下正常工作。

• 漏源电压 (Vdss): 最高可达 20V，适用于多种低至中电压应用。

• 功率耗散: 最大功率耗散值为 470mW（在 25°C 环境下），提供灵活的功率管理。

• 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，使其适用于严格的工业环境及汽车电子设备。

3. 电气特性

• 漏电流 (Id): 在不同的栅极驱动电压 (Vgs) 条件下, 该器件能以高性能完成电流控制，特别适合于负载开关应用。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 950mV @ 250µA，表示该 MOSFET 能够在较低的驱动电压下有效开启，降低了整机的功耗。
• 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 2nC @ 4.5V，确保了快速开关性能。
• 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 67.62pF @ 25V，提升了开关频率性能，适合高频操作。

4. 应用领域

DMN2300UFD-7 的高效能使其适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 电源管理: 可在开关电源和DC-DC转换器中使用，有助于提高能效和减少功率损耗。
• 负载开关: 适合用于消费电子、工业设备和家电产品中的开关控制。
• 高频开关电路: 在射频应用和音频功放中，凭借其低电压损失特性，能够有效提升性能。
• 汽车电子: 能够在高温和严苛的工作条件下表现出色，满足汽车电子产品的需求。

5. 结论

DMN2300UFD-7 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，适合各种应用。其超凡的电气性能和广泛的工作范围，搭配高集成度的封装形式，使其成为了现代电子设备中电源管理和信号传输的重要器件。随着小型化和高效化趋势的不断深入，选择 DMN2300UFD-7 将为您的设计提供强大的技术支持和更高的市场竞争力。