晶体管类型 | 1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 82@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V@10mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 3V@2mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 100mV@5mA,0.25mA |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、产品简介
DDTA115EUA-7-F是DIODES(美台)公司推出的一款高性能密封型PNP晶体管,具有预偏压特性,适用于多种电子应用。该晶体管采用SOT-323封装,适合表面贴装 (SMD) 安装方式,能够满足现代电子设备日益小型化的需求。其设计目标是提供优越的电流放大性能与可靠的工作效率,使其成为开关与放大电路中理想的选择。
二、主要参数
三、应用领域
DDTA115EUA-7-F可以广泛应用于以下领域:
四、优势与特点
强大的热稳定性与可靠性: DDTA115EUA-7-F的高电压和电流额定值保证了设备在高压力环境中的可靠运行,尤其适合长时间工作或高温条件下的应用。
卓越的电流增益: 随着Ic和Vce的变化,晶体管依然能够保持良好的电流增益,适合多种电路需求。
小巧的封装: SOT-323封装的优点在于其小尺寸和轻量化,非常适合空间有限的应用。
低功耗设计: 在关断状态下,DDTA115EUA-7-F的集电极截止电流极低,极大地减少了待机能耗。
五、最终思考
作为一款高性能的PNP数字晶体管,DDTA115EUA-7-F在电路设计中提供了灵活性与可靠性,能够支持多种应用场景。无论是在工业级、商用或消费类电子产品中,其卓越的特性必将为工程师和设计师带来极大的便利。在追求更高效率与更小尺寸的现代电子设备中,DDTA115EUA-7-F无疑是不可或缺的选择。