类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 335mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.1Ω@10V,0.5A |
功率(Pd) | 270mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 400pC | 输入电容(Ciss@Vds) | 41pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2.6pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN65D9L-7 是由 DIODES(美台)公司出品的一款高性能N通道MOSFET(场效应管),其设计和参数适用于电子设备中的多种应用场景,尤其是在需要高频开关和高效率功率处理的条件下。这款MOSFET能够在极端的环境温度下工作,其工作温度范围达到-55°C 到 150°C,使其成为工业、汽车电子和消费类电子产品的理想选择。
DMN65D9L-7 的主要特性包括:
DMN65D9L-7 采用流行的SOT-23封装(TO-236-3, SC-59, SOT-23-3),这使得其在PCB(印刷电路板)上的安装变得更加便捷,尤其适用于表面贴装的设计,减小了元器件的占用空间。同时,SOT-23封装也提供了一定的散热能力,充分满足功率传输的需求。
由于其卓越的技术参数,DMN65D9L-7 可广泛应用于以下领域:
总的来说,DMN65D9L-7 是一款高效且多功能的N通道MOSFET,由于其良好的电气特性和广泛的适用性,在当今电子设备设计中扮演着至关重要的角色。其在极端环境中的稳定性和可靠性,使其成为高要求应用的理想选择,满足现代电子产品对高性能元器件的需求。