BC858BW-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC858BW-7-F

商品编码: BM0127477788
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT323
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.527
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.527
--
200+
¥0.175
--
1500+
¥0.11
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC858BW-7-F参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁200MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

BC858BW-7-F手册

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BC858BW-7-F概述

产品概述:BC858BW-7-F PNP晶体管

概述

BC858BW-7-F是一款高性能的PNP型双极晶体管,由知名制造商DIODES(美台)生产。它采用表面贴装的SOT-323封装,具有良好的散热特性和小型化设计,非常适合于现代电子设备的高密度应用。该器件的工作电流可达100mA,适合于小功率信号放大和开关应用,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子等领域。

关键参数

  1. 晶体管类型: PNP
  2. 集电极电流(Ic): 最大值可达100mA,适合多种信号处理应用。
  3. 集射极击穿电压(Vceo): 最大值为30V,提供了良好的电压耐受能力。
  4. Vce饱和压降: 在不同Ib、Ic条件下,V ce饱和压降最大为650mV(在5mA至100mA的电流范围内),这使得该器件在开关操作时具有较低的功耗。
  5. 集电极截止电流(ICBO): 最大值为15nA,确保低功耗操作。
  6. 直流电流增益(hFE): 在2mA和5V条件下,hFE的最小值为220,表明该器件具有优良的电流放大能力。
  7. 功率耗散: 最大功率为200mW,适合于小功率应用。
  8. 频率响应: 跃迁频率高达200MHz,适用高频应用。
  9. 工作温度范围: -65°C至150°C,确保了在极端环境下的可靠运行。
  10. 封装: SOT-323,符合标准的表面贴装技术(SMT),节省PCB空间并简化安装。

应用领域

BC858BW-7-F由于其优越的电气特性和小型化设计,适用于多个领域,包括但不限于:

  • 消费电子: 手机、平板电脑、家电等产品中作为信号放大器或开关。
  • 通信设备: 在各种通信线路中用于信号处理和放大操作。
  • 汽车电子: 车载电子设备中的小信号处理电路,确保高性能与可靠性。
  • 工业控制: 用于传感器、控制器中的信号调节与开关。

安装与使用

由于BC858BW-7-F采用SOT-323封装,安装时需要遵循适当的焊接工艺,以确保电气性能与机械强度。建议使用回流焊接工艺以保证良好的热传导和焊接质量。

选择BC858BW-7-F的优势

  • 高效能: 具备优异的电流增益和低饱和压降,实现高效率的信号处理。
  • 高温稳定性: 广泛的工作温度范围使其在各种恶劣环境下稳定工作。
  • 极小的漏电流: 集电极截止电流极小,降低了静态功耗,提升了能效。
  • 紧凑型设计: SOT-323封装优化了空间使用,适合现代小型电子设备的需求。

结论

BC858BW-7-F是一款功能强大并且可靠的PNP晶体管,结合优良的器件特性与DIODES(美台)的品牌信誉,使其成为现代电子设计中理想的选择。无论是在消费电子、通信、汽车还是工业控制领域,BC858BW-7-F都能提供可靠的性能与高效的解决方案。通过选用该器件,设计师能够在保证电路性能的同时,优化空间使用与成本有效性。