晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 60mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V | 功率(Pd) | 640mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5.0V | 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA,1.0mA | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBT5551M3T5G 是一款高性能的 NPN 型晶体管,其主要特点是低饱和压降和高电压承受能力,使其适用于各种应用场景。此款晶体管由 ON Semiconductor(安森美)公司生产,符合现代电子设计的需求。
晶体管类型:MMBT5551M3T5G 是一种 NPN 型晶体管,适合在开关和放大应用中使用。
集电极电流(Ic)最大值:60mA 使得该元件适用于低功率驱动的应用,适合微控制器和其他逻辑电路的驱动需求。
集射极击穿电压(Vceo)最大值:160V 使得该晶体管能够在高压环境中运行,适合家电产品和高压开关电源。
饱和压降:当 Ic 为 5mA 和 50mA 时,Vce 饱和压降最大值为 200mV,这种低压降特性能够增强电路的效率,减少能量损耗。
集电极截止电流:该参数为 50nA,表明晶体管在关闭状态下几乎不会导致漏电流,这是设计高效电路的重要考量。
DC 电流增益 (hFE):在 Ic 为 10mA 和 Vce 为 5V 时,hFE 最小值为 80,这意味着该晶体管能够有效地放大输入信号,适用于音频设备、信号放大器等场合。
功率最大值:265mW 的功率承载能力,对应于多种电子设备,能够在不产生过多热量的情况下实现高效运行。
工作温度范围:-55°C 至 150°C 的广泛温度范围使得 MMBT5551M3T5G 能够适应严酷的环境条件,符合工业和汽车电子等应用的要求。
封装类型:采用 SOT-723 表面贴装封装,节省空间,便于自动化生产,适合现代电子产品的小型化设计。
MMBT5551M3T5G 潜在应用广泛,包括但不限于以下领域:
MMBT5551M3T5G 是一款卓越的 NPN 晶体管,其出色的电气性能、广泛的工作温度范围和小巧的封装设计,使其成为多种电子应用的理想选择。凭借安森美的品牌保障和可靠性,此产品能够为设计工程师提供更高的设计灵活性和更好的性能表现。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,MMBT5551M3T5G都可以显著提升产品性能,满足市场对高效、高性能电子元件的需求。