PMN48XP,115

PMN48XP,115 产品概述

简介

PMN48XP,115 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），主要用于低功耗、高效率和快速开关的电子电路。其小巧的 6-TSOP 封装（亦称为 SOT-457）适合于表面贴装（SMD），能够有效节省电路板空间，满足现代电子设备日益紧凑的设计需求。

技术参数

• 核心电气特性：

  • 漏源电压 (Vdss): 20V
  • 额定电流 (Id): 4.1A@25°C
  • 功耗: 最大功率耗散可达 530mW（在环境温度 Ta 下）和 6.25W（在结温 Tc 下）。

• 导通电阻 (Rds On):

  • 在支持的驱动电压 2.5V 和 4.5V 下，PMN48XP,115 具有最大导通电阻为 55 毫欧（在 2.4A 和 4.5V 时），这使得其在开关操作中过低的功率损耗表现尤为突出。

• 栅极电压 (Vgs): 最大可承受栅极驱动电压为 ±12V，这使得设备在多种电压环境中都可以稳定工作。

• 阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 条件下，阈值电压的最大值为 1.25V，这一特性使得 MOSFET 能够在更低的电压下启动，提高了电路的灵活性与兼容性。

• 电容特性:

  • 栅极电荷 (Qg) 最大为 13nC（在 4.5V 时），体现了其良好的开关性能和高效的驱动特性。
  • 输入电容 (Ciss) 最大为 1000pF（在 10V 电压下），提供了较高的输入阻抗和良好的电流驱动能力。

• 工作温度范围: 该组件能够在极端温度条件下稳定运行，工作温度范围为 -55°C 到 150°C，这保证了其在严苛环境下的可靠性。

应用场景

PMN48XP,115 适用于多种应用领域，包括但不限于：

1. 开关电源：由于其低导通电阻和高效能，适合用作开关管以减少能耗并提高能效。
2. 负载开关：能够控制小型至中型负载的开启和关闭，广泛应用于消费电子、工业控制系统中。
3. 电池管理系统：其低功耗特性使其成为电池供电设备中理想的电源开关元件。
4. 电机驱动：应用于直流电机或者步进电机驱动电路，提供高效的电流控制。
5. 信号放大器：可用于音频放大器和RF放大器电路中，提供可靠的性能支持。

结论

综上所述，PMN48XP,115 是一款具有出色性能及可靠性的小型 P 通道 MOSFET，因其优良的导通电阻、较宽的工作温度范围以及设计灵活性，非常适合于现代电子产品中的多种应用。无论是在电子设计初期的原型开发，还是在大规模生产时，该元件都可为设计工程师提供稳定、高效的解决方案。借助 Nexperia 的专业技术支持，客户可以在满足电路性能的同时，降低成本和功耗，提升整体系统的竞争力。