BUK7880-55A/CUX 产品实物图片
BUK7880-55A/CUX 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BUK7880-55A/CUX

商品编码: BM0128485782
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.139g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 8W 55V 7A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.43
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.43
--
50+
¥1.1
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

BUK7880-55A/CUX参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)7A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,10A
功率(Pd)8W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V输入电容(Ciss@Vds)500pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

BUK7880-55A/CUX手册

BUK7880-55A/CUX概述

BUK7880-55A/CUX 产品概述

产品简介

BUK7880-55A/CUX是一款高性能的N沟道MOSFET,专为需要高效能和高可靠性的电子应用而设计。其旨在提供优异的电流控制和功率管理,适用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动以及其他高功率电子设备。这款MOSFET具备强大的电流处理能力、低导通阻抗和宽输出电压范围,满足用户在复杂电路设计中的需求。

基本参数

  • FET类型: N沟道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vdss): 55V
  • 连续漏极电流(Id): 7A(在 Tc = 25°C)
  • 最大栅源电压(Vgs): ±20V
  • 导通电阻(Rds On): 最大80毫欧,适用于10A电流和10V驱动电压
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大4V(在1mA时)
  • 输入电容(Ciss): 最大500pF(在25V时)
  • 栅极电荷(Qg): 最大12nC(在10V时)
  • 功率耗散: 最大8W(在 Tc下)
  • 工作温度范围: -55°C至150°C
  • 封装类型: SOT-223(TO-261-4,TO-261AA)

应用领域

BUK7880-55A/CUX的设计使其特别适合于电源管理和开关应用。它的特点包括:

  1. 高效开关电源: 在开关电源中,MOSFET的开关速度和导通电阻对效率具有重大影响。BUK7880-55A/CUX有效降低了能量损耗,并提高了整体电源效率。

  2. 电机驱动: 由于其高电流能力,该MOSFET适合用于电机驱动应用,能够承受高井然井然的电流负载,为电机提供稳定可靠的驱动。

  3. 车载应用: BUK7880-55A/CUX的工作温度范围广泛(-55°C至150°C),非常适合车载电子设备的使用,满足汽车行业严苛的环境条件。

  4. DC-DC转换器: 在各种DC-DC转换器中,该MOSFET能够有效作为开关元件,提高转换效率,降低热量产生。

技术优势

  • 低导通阻抗: 80毫欧的导通阻抗意味着在电流过载时会产生更少的热量,从而改善设备的整体效率和可靠性。
  • 快速开关特性: 12nC的栅极电荷使得该MOSFET可以实现快速开关,提升电路的性能,降低开关损耗。
  • 高功率处理: 具备8W的功率耗散能力,能够有效处理高功率应用中的要求,确保长期稳定的运行。
  • 优异的热管理: 典型的表面贴装封装(SOT-223)及较宽的工作温度范围,使得BUK7880-55A/CUX在温度变化剧烈的环境中依然能够保持良好的工作性能。

总结

BUK7880-55A/CUX凭借其优异的电流处理能力、低导通电阻、快速开关特性和宽广的工作温度范围,是各类高性能电源和开关电路的理想选择。作为安世半导体的产品,它代表了尖端技术与可靠性的结合,能在多种应用中提供出色的性能表现。无论是用于电机控制、电源管理还是其他电子设备,BUK7880-55A/CUX都能满足并超越使用者的期望,推动电子设备的高效能和可靠性发展。