类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27.5mΩ@15A,10V |
功率(Pd) | 89W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.634nF@50V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
PSMN028-100YS,115 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET,在电子工程和电源管理领域中得到了广泛应用。这款元器件具有出色的电流和电压处理能力,适合多种高功率应用,如电机驱动、DC-DC 转换器、开关电源等。
额定电流与电压:
导通电阻:
栅极驱动特性:
功率耗散:
工作温度范围:
封装与安装:
电容特性:
PSMN028-100YS,115 的高度集成化设计使其在以下应用场景中表现优异:
电机驱动:应用于工业逆变器和伺服电机驱动系统,能够承受高电流和快速开关的需求,提升效率。
电源管理:在 DC-DC 转换器、开关电源中应用,能够有效降低能量损耗和发热,持续提供稳定的输出。
汽车电子:适用于电动汽车的电源系统,能够在高温和严苛条件下保证安全和稳定。
可再生能源:在太阳能逆变器和风能发电系统中也表现出色,通过高效率和低热量设计,可以提高整体系统的可靠性和节能效果。
PSMN028-100YS,115 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,适用于各种需要高电流和高电压处理的应用。其卓越的电性能、宽广的工作温度范围以及先进的封装设计,使其成为现代电子设备中的理想选择。适应了当今市场对高功率、高效率以及高可靠性组件的需求,是工程师们在设计电源管理解决方案时的重要合作伙伴。