晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 90@10uA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 4uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
BC858CLT1G是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能PNP型双极性晶体管(BJT),其设计用途广泛,特别适合用于低至中等电流应用的开关和放大电路。这款晶体管在表面贴装领域(SMD)中非常受欢迎,因其优良的电气特性和高效的热性能,成为许多电子产品的首选元件之一。
BC858CLT1G采用了SOT-23-3(TO-236)封装,具有体积小、重量轻的特点,非常适合用于空间受限的电子设备。此外,表面贴装型的设计使得其能够方便地通过自动化贴装设备进行组装,降低了生产成本与时间,提高了生产效率。
BC858CLT1G广泛应用于多种电子设备中,以下是一些典型应用:
BC858CLT1G的设计考虑了当前电子市场对于高效、可靠和微型元件的需求。其在多个参数上的优越性能,使得它在同类产品中具有竞争优势。尤其是在高频操作、低功耗以及高精度应用中,BC858CLT1G表现尤为突出。此外,该器件的长期稳定性和低漏电流特性,能够有效延长整个电路的使用寿命。
BC858CLT1G是一款功能强大、性能可靠的PNP半导体晶体管,适用于多种应用场合。其高增益、低功耗和广泛的工作温度范围使其在市场中占有一席之地,是设计工程师在选择电子元件时的重要考虑对象。
总之,BC858CLT1G的卓越性能和灵活应用使其在现代电子技术中不可或缺,适用于无线通信、消费类电子、汽车电子及工业自动化等多个领域。