
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 6.5V |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 漏源电流(Idss) | 60mA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| FET类型 | N沟道 |
MMBFJ310LT1G是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N通道结型场效应管(JFET),采用SOT-23-3(TO-236)封装,专门用于模拟信号的放大和开关控制。此器件在电子电路中表现出优秀的性能,具备高增益和良好的线性工作特性,适用于各种应用场合,包括音频放大器、传感器接口、电源管理和其他线性应用。
MMBFJ310LT1G广泛应用于许多电子电路设计中,具体包括但不限于:
在使用MMBFJ310LT1G时,设计师应考虑以下几点:
MMBFJ310LT1G是一款性能优异的N通道JFET,适用于广泛的电子应用。其高增益、良好的耐用性以及小巧的封装使其成为许多现代电子设计中的理想选择。设计师在使用时只需注意器件的工作条件和PCB布局,即可充分发挥该器件的优势,以满足各种电子产品的性能需求。