集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 187mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5.0mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 900mV@5.0mA,0.2V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV@100uA,5.0V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | 输入电阻 | 4.7kΩ |
电阻比率 | 0.1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
MUN5233DW1T1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的数字晶体管,采用先进的表面贴装技术,具有出色的电气性能和广泛的应用场景。这款晶体管属双 NPN 预偏压式设计,适用于需要精确控制的电子电路,尤其是在低功耗和小型设备中表现优异。
MUN5233DW1T1G 采用 SC-88、SC70-6、SOT-363 封装形式,是一种紧凑、轻量的表面贴装型器件,适合于高密度电路板设计。该封装不仅可以降低元器件之间的电感和电阻,还便于自动化生产和焊接,有助于提高生产效率和降低生产成本。
MUN5233DW1T1G 适用的应用领域非常广泛,包括但不限于:
总之,MUN5233DW1T1G 是一款具有高效、可靠和多功能特性的双 NPN 预偏压数字晶体管,广泛适用于低功耗和高密度电路设计。其出色的电流和电压规格、优异的电流增益以及紧凑的封装,使其成为现代电子设计中特别受欢迎的选择。无论是在消费电子、便携设备还是工业应用中,MUN5233DW1T1G 都展现出优良的性能和优越的应用灵活性。