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IKW75N65EH5 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IKW75N65EH5RoHS
商品编码:
BM0148654046复制
品牌:
Infineon(英飞凌)复制
封装:
TO-247-3复制
包装:
管装复制
重量:
6.13g复制
描述:
IGBT管/模块 IKW75N65EH5复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
IKW75N65EH5参数
属性
参数值
耗散功率(Pd)395W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)90A
集射极饱和电压(VCE(sat))2.1V@75A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))3.2V@0.75mA
栅极电荷量(Qg)160nC@15V
输入电容(Cies)4.2nF
输出电容(Coes)130pF
属性
参数值
反向传输电容(Cres)17pF
开启延迟时间(Td(on))28ns
关断延迟时间(Td(off))174ns
导通损耗(Eon)2.3mJ
关断损耗(Eoff)900uJ
反向恢复时间(Trr)92ns
工作温度-40℃~+175℃
IKW75N65EH5手册
IKW75N65EH5概述

IKW75N65EH5 产品概述

概述

IKW75N65EH5 是由英飞凌(Infineon)公司制造的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),其封装形式为TO-247。这款IGBT管被广泛应用于各种功率电子设备中,如变频器、直流变换器、逆变器、电机驱动等。IKW75N65EH5在高电压、高电流和高效率的应用场合中表现出色,成为工业及消费电子领域中理想的选择。

主要特性

  1. 电压等级: IKW75N65EH5 的额定电压为650V,适合高电压应用,能够有效处理工业设备中的浪涌电压。
  2. 电流容量: 具有优异的电流承载能力,最大连续放电电流为75A(在适当的散热条件下),适合于高负载要求的应用。
  3. 低开关损耗: 由于采用了最新的技术,该IGBT具有低开关损耗的优点,在高频应用中能够提高效率,降低发热,有助于改善整体系统性能。
  4. 优秀的热性能: TO-247封装设计使得IKW75N65EH5具备良好的散热特性,能够有效地管理热量,延长器件的使用寿命。
  5. 高增益带宽: IKW75N65EH5在高频开关时,能够提供较高的增益带宽,确保在高速工作下仍能保持良好的开关特性。

应用领域

IKW75N65EH5因其高效能和稳定性被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 变频器: 在工业变频器中,IKW75N65EH5负责控制三相电机的速度和扭矩,提供精确的转矩控制,提升系统能效。

  • 电动汽车: 在电动驱动系统中,用于电机驱动和功率转换,确保电能的高效转换与分配。

  • 可再生能源: 例如,光伏逆变器中的应用,IKW75N65EH5可用于将直流电转换成可用于家庭或工业电网的交流电,支持可再生能源的发展。

  • 电源供应: 在开关电源、亮化设备中,IKW75N65EH5的性能使得电源转换高效且稳定。

设计考虑

在使用IKW75N65EH5时,设计工程师需要考虑以下因素:

  • 散热: 由于器件的功率负载较高,设计时必须确保有适当的散热机制,以防止过热造成的性能下降或损坏。

  • 驱动电路: 选用适当的驱动电路以匹配IGBT的特性,确保其快速可靠地切换,减少开关损耗。

  • 电源条件: 根据应用场合的电源特性,适当选择IGBT的操作频率和工作模式,以实现最佳性能。

总结

作为英飞凌推出的IGBT系列中的一个重要产品,IKW75N65EH5凭借其优异的电气特性和广泛的应用适应性,成为了现代电力电子设备中不可或缺的基础元件之一。无论是在工业自动化、可再生能源还是电动汽车领域,IKW75N65EH5都能为用户提供高效、可靠的解决方案,推动着相关技术的发展与进步。

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